[发明专利]源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在衬底中形成源极/漏极结构；

在所述源极/漏极结构上方形成金属层；

实施退火工艺，从而使得部分所述金属层与所述源极/漏极结构反应，以在所述源极/漏极结构上形成金属化层；

实施蚀刻工艺以去除所述金属化层上的所述金属层的未反应的部分；以及

在所述金属化层上方形成接触件，

其中，所述蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且所述蚀刻溶剂包括：

(a)第一组分，包括H₂SO₄、HCl、HF、H₃PO₄或NH₄OH；和

(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯(PC)、碳酸亚乙酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、乙腈或它们的组合。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂中的所述第一组分和所述第二组分的体积比在从0.05:100至1:10的范围内。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂还包括：

(c)第三组分，包括H₂O₂或臭氧。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂中的所述第一组分与所述第三组分的体积比在从0.05:0.0001至1:0.1的范围内。

5.根据权利要求3所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂中的所述第一组分与所述第二组分与所述第三组分的体积比在从0.05:10:0.0001至1:10:0.1的范围内。

6.根据权利要求3所述的用于制造半导体结构的方法，其中，在所述蚀刻工艺之后，在所述源极/漏极结构的侧壁上形成氧化物膜。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述源极/漏极结构是在所述衬底上方的鳍结构中形成的凸起的源极/漏极结构。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述源极/漏极结构是在所述衬底上方的纳米线结构中形成的凸起的源极/漏极结构。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体结构的方法，其中，在从20℃至150℃的温度范围内实施所述蚀刻工艺。

10.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上方形成具有顶部和底部的凸起的源极/漏极结构；

在所述凸起的源极/漏极结构的所述顶部上方形成金属层；

实施退火工艺，从而使得部分所述金属层与所述凸起的源极/漏极结构的所述顶部反应以形成金属化层；

实施蚀刻工艺以去除所述金属化层上的所述金属层的未反应的部分；以及

在所述金属化层上方形成接触件，

其中，所述蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且所述蚀刻溶剂包括：

(a)第一组分，包括H₂SO₄、HCl、HF、H₃PO₄或NH₄OH；和

(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯(PC)、碳酸亚乙酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、乙腈或它们的组合。

11.根据权利要求10所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂中的所述第一组分与所述第二组分的体积比在从0.05:100至1:10的范围内。

12.根据权利要求10所述的用于制造半导体结构的方法，其中，所述蚀刻溶剂还包括：

(c)第三组分，包括H₂O₂或臭氧，

其中，所述蚀刻溶剂中的所述第一组分与所述第三组分的体积比在从0.05:0.0001至1:0.1的范围内。