[发明专利]容性二极管组件及其制造方法

权利要求书

1.一种容性二极管组件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；

第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；

第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；

第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及

互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的容性二极管组件，其中，所述互连结构包括第一互连引线。

3.根据权利要求2所述的容性二极管组件，还包括：

位于外延层上的绝缘层；以及

第二互连引线，与第一掺杂区和和第二掺杂区电连接，

其中，所述第一互连引线和所述第二互连引线分别穿过绝缘层到达各自的掺杂区。

4.根据权利要求3所述的容性二极管组件，其中，所述互连结构还包括第二导电类型的第三掺杂区，从外延层表面延伸至外延层中，所述第一互连引线与隔离区和第三掺杂区接触。

5.根据权利要求4所述的容性二极管组件，其中，隔离区包括围绕第一有源区和第二有源区的周边部分，以及将第一有源区和第二有源区彼此隔开的中间部分，第三掺杂区横跨第一有源区和隔离区的周边部分之间的界面。

6.根据权利要求4所述的容性二极管组件，其中，第三掺杂区围绕第一掺杂区。

7.根据权利要求1所述的容性二极管组件，其中，第一掺杂区和外延层之间形成第一二极管的PN结，半导体衬底和外延层之间形成第二二极管的PN结。

8.根据权利要求3所述的容性二极管组件，其中，第一二极管和第二二极管采用半导体衬底和第二互连引线反向并联连接。

9.根据权利要求1所述的容性二极管组件，其中，第一掺杂区的掺杂浓度大于1.0×1018cm-3，第二掺杂区的掺杂浓度大于8.0×1019cm-3。

10.根据权利要求1所述的容性二极管组件，其中，外延层的厚度大于2μm。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的容性二极管组件，其中，第一导电类型为N型和P型之一，第二导电类型为N型和P型中的另一个。

12.一种制造容性二极管组件的方法，包括：

在第一导电类型的半导体衬底上，形成第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；

采用第一掺杂工艺，形成第一导电类型的隔离区，隔离区从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；

采用第二掺杂工艺，形成第一导电类型的第一掺杂区，第一掺杂区在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；

采用第三掺杂工艺，形成第二导电类型的第二掺杂区，第二掺杂区在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及

形成互连结构，所述互连结构将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成互连结构的步骤包括：

在外延层上形成绝缘层；以及

形成穿过绝缘层的第一互连引线。