[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201510510820.X | 申请日: | 2015-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN105374715B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 滝本雄二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供能抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置包括处理单元;以及控制部,其用于使处理单元执行基板处理。控制部使处理单元实施基板处理,并根据包含在基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,使被检测出异常的处理单元执行改善处理,改善处理由使异常的内容和改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往,在具有用于对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行处理的多个处理单元的基板处理装置中,对各处理单元的动作状况进行定期检查。
例如,在专利文献1中,公开了一种通过监视蚀刻液的流量、温度等来判断各处理单元的动作状况是否存在异常的技术。在该专利文献1所记载的技术中,在检测出处理单元的动作状况存在异常的情况下,检索数据库并确定值班中的操作者,用电子邮件向确定了的操作者通知包含异常的内容等的信息。
专利文献1:日本特开2005-064214号公报
发明内容
然而,在所述以往技术中,当要进行改善作业的操作者花费时间赶到现场时,改善作业会产生延迟,改善作业的延迟相应地导致处理单元的修复延迟,在此期间不能使用处理单元,从而有可能使基板处理装置的运转率降低。
尤其是,近年来,工厂的无人化不断发展,操作者赶到现场所花费的时间变长。因此,如何抑制因操作者不在而导致处理单元的修复的延迟成为一个问题。
此外,在基板处理装置中,作为专利文献1所记载的检查方法以外的检查方法,有时在将检查用的监控晶圆输入到处理单元中并使处理单元执行一系列的基板处理之后,使用外部的测定器调查处理后的监控晶圆的表面,由此对处理单元的动作状况进行检查。在进行这样的检查时也同样地可能产生所述问题。
一技术方案的目的在于,提供能够抑制在检测出处理单元存在异常的情况下的运转率的降低的基板处理装置和基板处理方法。
本发明的一技术方案提供一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置包括:处理单元,其用于对基板进行处理;以及控制部,其用于使所述处理单元执行基板处理,所述控制部使所述处理单元实施基板处理,并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,使被检测出异常的处理单元执行改善处理,所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定
本发明的又一技术方案提供一种基板处理方法,其是基板处理装置中的基板处理方法,该基板处理装置包括:处理单元,其用于处理基板;以及控制部,其用于使所述处理单元执行基板处理,其特征在于,该基板处理方法包括:基板处理工序,在该基板处理工序中,利用用于对基板进行处理的处理单元来进行基板处理;以及改善处理工序,在该改善处理工序中,进行改善处理,该改善处理基于包含利用在所述基板处理工序后实施的基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,针对被检测出异常的处理单元执行所述改善处理工序,所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。
采用本发明的一技术方案,能够抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是检查处理的概要说明图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510510820.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超高Q值TE01模介质加载空腔
- 下一篇:高效发电机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





