[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201510510820.X | 申请日: | 2015-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN105374715B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 滝本雄二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括:
处理单元,其用于对基板进行处理;以及
控制部,其用于使所述处理单元执行基板处理,
所述控制部使所述处理单元实施基板处理,并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息,使被检测出异常的处理单元执行改善处理,
所述改善处理是根据使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定的,
在所述改善处理信息中,作为所述异常的内容,按照异常的每个类型而包含表示异常的程度的信息,应执行的所述改善处理与各类型中的每个异常的程度相互对应。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括用于存储所述改善处理信息的存储部,
所述控制部经由网络取得包含所述异常的内容的所述异常检测信息,
使取得的所述异常的内容和存储在所述存储部中的所述改善处理信息相互对应来确定所述改善处理。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括用于存储所述改善处理信息的存储部,
所述控制部经由网络取得包含所述异常的内容的所述异常检测信息,
以所述异常的内容为基础来判断能否使用所述处理单元,
在判断为不能使用所述处理单元时,
使取得的所述异常的内容和存储在所述存储部中的所述改善处理信息相互对应来确定所述改善处理。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部经由网络取得所述改善处理,
使被检测出异常的处理单元执行所述改善处理。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后,使执行了所述改善处理后的处理单元再次执行所述基板处理。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部使被检测出所述异常的处理单元向禁止对产品基板执行所述基板处理的监控模式转移,在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后,将该处理单元的所述监控模式解除。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部使被检测出所述异常的处理单元向禁止对产品基板执行所述基板处理的监控模式转移,在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后,使执行了所述改善处理后的处理单元再次执行所述基板处理,
在所述控制部判断为能够使用所述处理单元时,将该处理单元的所述监控模式解除。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括用于实施所述表面测定的测定器。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理单元包括:
基板保持机构,其用于保持所述基板并使所述基板旋转;以及
喷嘴,其用于喷射预先设定的处理液,
在所述异常的内容为产生微粒的情况下,所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行自所述喷嘴朝向所述基板保持机构喷射清洗液而对所述基板保持机构进行清洗的处理作为所述改善处理。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理单元包括:
基板保持机构,其用于保持所述基板并使所述基板旋转;
喷嘴,其用于喷射预先设定的处理液;以及
喷嘴清洗部,其用于对所述喷嘴进行清洗,
在所述异常的内容为产生微粒的情况下,所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行使用所述喷嘴清洗部来对所述喷嘴进行清洗的处理作为所述改善处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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