[发明专利]一种在锆合金基体表面制备包含h‑Zr3O相的致密氧化锆涂层的方法

权利要求书

1.一种在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用提拉法将液态的线性聚碳硅烷涂覆于锆合金基体表面；

2)于Ar气氛中加热升温至线性聚碳硅烷的固化温度，保温处理；

3)继续加热升温至涂层制备温度，再次保温处理；

4)冷却至室温，在锆合金基体表面制得包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层；

所述线性聚碳硅烷的含氧量为10％。

2.根据权利要求1所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，步骤2)所述的线性聚碳硅烷的固化温度为190℃，加热升温速率为5℃·min^-1。

3.根据权利要求1所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，步骤3)所述的涂层制备温度为800～1000℃，加热升温速率≤2℃·min^-1。

4.根据权利要求1所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，步骤2)和3)中的保温处理时间均为1h。

5.根据权利要求1所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，步骤4)完成后，通过重复步骤1)～4)的操作增加氧化锆涂层的厚度。

6.根据权利要求1所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，锆合金基体在涂覆线性聚碳硅烷前经过打磨、清洗及干燥处理。

7.根据权利要求6所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，打磨是选用200目、400目、600目和800目的砂纸逐次对锆合金基体进行打磨。

8.根据权利要求6所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，清洗是将打磨后的锆合金基体置于无水乙醇中进行超声清洗20～30min。

9.根据权利要求6所述的在锆合金基体表面制备包含h-Zr₃O相的致密氧化锆涂层的方法，其特征在于，干燥是将清洗后的锆合金基体于40～60℃下，烘干5～8h。