[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201510497522.1 | 申请日: | 2015-08-13 | 
| 公开(公告)号: | CN105140179B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 | 
| 发明(设计)人: | 李震芳;杨潇宇;權基瑛;罗强强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12;G02F1/1362 | 
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 | 
| 地址: | 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一导电图形和第二导电图形;
在形成有所述第一导电图形和所述第二导电图形的衬底基板上形成过孔,所述过孔的侧壁半开放;
在形成有所述过孔的衬底基板上形成跳线膜层,使得所述第一导电图形和所述第二导电图形电连接;
所述方法具体包括:
在所述衬底基板上形成所述第一导电图形和所述第二导电图形,所述第二导电图形与所述第一导电图形位于所述衬底基板上的同一层;
在形成有所述第一导电图形和所述第二导电层图形的衬底基板上形成第一绝缘层图形;
所述第一导电图形、所述第二导电图形和所述第一绝缘层图形围成所述过孔;
在形成有所述过孔的衬底基板上形成所述跳线膜层,使得所述第一导电图形和所述第二导电图形电连接;
其中,所述第一导电图形为第一栅极金属图形,所述第二导电图形为第二栅极金属图形,或者所述第一导电图形为第一源漏金属图形,所述第二导电图形为第二源漏金属图形。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述过孔为条状孔,所述条状孔的长度方向或宽度方向的侧壁开放。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述条状孔的侧壁开放的方向上尺寸大于或等于15微米,且小于或等于20微米。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一导电图形为第一栅极金属图形,所述第二导电图形为第二栅极金属图形,所述方法具体包括:
在所述衬底基板上形成栅极金属薄膜,通过构图工艺同层形成所述第一栅极金属图形和所述第二栅极金属图形;
在形成有所述第一栅极金属图形和所述第二栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层;
对所述栅极绝缘层进行构图形成栅极绝缘图形,所述栅极绝缘图形覆盖所述第一栅极金属图形远离所述第二栅极金属图形的部分以及覆盖所述第二栅极图形远离所述第一栅极金属图形的部分;
所述第一栅极金属图形未被所述栅极绝缘图形覆盖的部分、所述第二栅极金属图形未被所述栅极绝缘图形覆盖的部分以及所述栅极绝缘图形共同围成所述过孔;
在形成有所述过孔的衬底基板上形成所述跳线膜层,使得所述第一栅极金属图形和所述第二栅极金属图形电连接。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一导电图形为第一源漏金属图形,所述第二导电图形为第二源漏金属图形,所述方法具体包括:
在所述衬底基板上形成源漏金属薄膜,通过构图工艺同层形成所述第一源漏金属图形和所述第二源漏金属图形;
在形成有所述第一源漏金属图形和所述第二源漏金属图形的衬底基板上形成钝化层;
对所述钝化层进行构图形成钝化层图形,所述钝化层图形覆盖所述第一源漏金属图形远离所述第二源漏金属图形的部分以及覆盖所述第二源漏金属图形远离所述第一源漏金属图形的部分;
所述第一源漏金属图形未被所述钝化层图形覆盖的部分、所述第二源漏金属图形未被所述钝化层图形覆盖的部分以及所述钝化层图形共同围成所述过孔;
在形成有所述过孔的衬底基板上形成所述跳线膜层,使得所述第一源漏金属图形和所述第二源漏金属图形电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





