[发明专利]接合装置、接合系统以及接合方法有效
| 申请号: | 201510483916.1 | 申请日: | 2015-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN105374709B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | 杉原绅太郎;和田宪雄;广瀬圭蔵 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接合 装置 系统 以及 方法 | ||
1.一种接合装置,其用于将基板彼此接合,其特征在于,
该接合装置包括:
第1保持部,其用于对第1基板进行真空吸引而将该第1基板吸附保持于下表面;以及
第2保持部,其设于所述第1保持部的下方,用于对第2基板进行真空吸引而将该第2基板吸附保持于上表面,
所述第2保持部具有:
主体部,其用于对第2基板进行真空吸引;
多个销,其设于所述主体部且与第2基板的背面相接触;以及
多个非接触肋,其呈同心圆状且环状设于所述主体部的外周部,并且高度比所述销的高度低,
在相邻的所述非接触肋之间设有所述多个销,
所述第2保持部还具有接触肋,该接触肋呈同心圆状且环状设于所述主体部的比所述非接触肋靠内侧的位置,并且高度与所述销的高度相同,
所述第2保持部能够被设定为在所述接触肋的内侧的吸引区域和所述接触肋的外侧的吸引区域中的每一个区域中对第2基板进行真空吸引,
在所述接触肋的内侧的吸引区域中形成有用于对所述第2基板进行真空吸引的第1吸引口,并且在所述接触肋的外侧的吸引区域中形成有用于对所述第2基板进行真空吸引的第2吸引口。
2.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
在所述主体部的设有所述多个非接触肋的区域中,形成有用于对第2基板的外周部进行真空吸引的第2吸引口。
3.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述主体部被划分为同心圆状的多个销区域,
在所述多个销区域中,内侧的销区域中的所述多个销的间隔小于外侧的销区域中的所述多个销的间隔。
4.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述第2保持部还具有用于对由该第2保持部保持的第2基板的温度进行调节的温度调节机构。
5.根据权利要求4所述的接合装置,其特征在于,
所述温度调节机构具有用于对第2基板的外周部进行温度调节的第1温度调节部和用于对第2基板的外周部内侧的中央部进行温度调节的第2温度调节部。
6.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述第1保持部具有:
其他主体部,其用于对第1基板进行真空吸引;
多个其他销,其设于所述其他主体部且与第1基板的背面相接触;以及
多个其他非接触肋,其呈同心圆状且环状设于所述其他主体部的外周部,并且高度比所述其他销的高度低,
在相邻的所述其他非接触肋之间设有所述多个其他销。
7.一种接合系统,其具有权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
该接合系统包括:
处理站,其具有所述接合装置;以及
输入输出站,其能够分别保有多张第1基板、多张第2基板以及多张由第1基板和第2基板接合而成的重合基板并相对于所述处理站输入输出第1基板、第2基板以及重合基板,
所述处理站包括:
表面改性装置,其用于对第1基板和第2基板的要被接合的表面进行改性;
表面亲水化装置,其用于使第1基板和第2基板的利用所述表面改性装置进行改性后的表面亲水化;以及
输送装置,其用于相对于所述表面改性装置、所述表面亲水化装置以及所述接合装置输送第1基板、第2基板以及重合基板,
在所述接合装置中,将利用所述表面亲水化装置进行了表面亲水化的第1基板和第2基板彼此接合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





