[发明专利]一种用于三维成像芯片的像素电路有效

专利信息
申请号: 201510481468.1 申请日: 2015-08-10
公开(公告)号: CN105181132B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 金湘亮;杨佳;杨红姣 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)43108 代理人: 颜昌伟
地址: 411201*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 三维 成像 芯片 像素 电路
【权利要求书】:

1.一种用于三维成像芯片的像素电路,其特征在于:包括单光子雪崩二极管、被动淬灭和主动再冲电电路、多路选择开关、或门、两个计数器、两组三态门开关;单光子雪崩二极管两端施加一个比其雪崩击穿电压高的反向偏压,单光子雪崩二极管的输出接被动淬灭和主动再冲电电路的输入端,被动淬灭和主动再冲电电路的输出端与多路选择开关的输入端相连,多路选择开关的两路输出分别连接到两个计数器的输入端,计数器的输出连接一个三态门开关;或门的两个输入端分别与两个计数器的溢出输出端相连,或门的输出端与多路选择开关的控制端相连;所述被动淬灭和主动再冲电电路包括第一MOS管、第二MOS管、反相器、或非门,单光子雪崩二极管的阳极与第一MOS管和第二MOS管的漏极相连,第一MOS管和第二MOS管的源极都接地,单光子雪崩二极管的阳极与反相器的输入端相连接,单光子雪崩二极管的阳极还与或非门的一个输入端相连接,或非门的另一个输入端接反相器的输出端,或非门的输出端与第二MOS 管的栅极相连。

2.根据权利要求1 所述的用于三维成像芯片的像素电路,其特征在于:所述的第一MOS管和第二MOS管的尺寸和或非门的触发阈值决定单光子雪崩二极管的淬灭和再充电时间。

3.根据权利要求1 所述的用于三维成像芯片的像素电路,其特征在于: 所述的多路选择开关第一个半个周期内将信号传输至计数器一,另外半个周期将信号传输至计数器二。

4.根据权利要求1 所述的用于三维成像芯片的像素电路,其特征在于:所述的两组三态门开关控制像素信号选择输出。

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