[发明专利]发光器件封装

说明书

实施例提供一种发光器件封装及照明装置。该封装包括：第一引线框和第二引线框；发光器件，电连接至第一引线框和第二引线框中的每个引线框，该发光器件具有不对称地形成在其顶面上的第一电极焊盘；以及反射构件，布置为围绕所述发光器件以反射从所述发光器件发射的光。所述反射构件被配置使得布置有所述第一电极焊盘的第一区的反射面的倾斜的标准偏差大于与所述第一区相对的第二区的反射面的倾斜的标准偏差。采用本申请的技术方案，从发光器件封装发射出去的光可以显现出均匀分布。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年8月5日在韩国提交的第10-2014-0100524号韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文，视同将其全文描述于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件封装，更具体地，涉及一种将从光源发出的均匀的光通量向外传送的发光器件封装。

背景技术

由于具有诸如容易控制的宽带隙能量之类的许多优点，诸如GaN和AlGaN之类的III-V族化合物半导体被广泛地用于光电子学和电子学。

特别地，由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半导体的发光器件，例如发光二极管或激光二极管，能够发射诸如红、绿和蓝等各种颜色的可见光和紫外光。这些发光器件通过使用荧光物质或颜色合成还能够以高的发光效率发射白光，并且与诸如荧光灯和白炽灯之类的传统光源相比具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环境友好等诸多优点。

因此，发光器件的应用领域扩展到了光通信装置的发送模块、用来取代作为液晶显示器(LCD)设备背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、用来取代荧光灯或白炽灯的白光发光二极管照明装置、车辆头灯以及交通灯。

在发光器件中，包括非掺杂半导体层(未掺杂GaN层)、第一导电半导体层(n型GaN层)、有源层(MQW层)和第二导电半导体层(p型GaN层)的发光结构可以形成在例如由蓝宝石形成的衬底上，第一电极和第二电极可以分别布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上。

发光器件被配置为发射具有通过有源层的组成材料的固有能带确定的能量的光，在有源层中通过第一导电半导体层注入的电子和通过第二导电半导体层注入的空穴彼此相遇。从有源层发射的光可以基于有源层的组成材料的组分而变化，并且例如可以是蓝光、紫外线(UV)光、深UV光或各种其他波长范围的光。

从发光器件发射的第一波长范围内的光可以激发荧光体(phosphor)，并且第二波长范围内的光可以从荧光体发出。荧光体可以被包括在包围发光器件的模制部件中，或者可以以荧光膜的形式被布置。

图1是示出发光器件封装的剖视图，以及图2是示出图1所示的发光器件的俯视图。

发光器件封装100包括：具有腔体的本体110、安装到本体110的第一引线框121和第二引线框122、安装到本体110且电连接至第一引线框121和第二引线框122的发光器件130、以及形成在腔体中的模制部件160。

发光器件130可以直接电连接至第一引线框121，而位于发光器件130上的第一电极焊盘140可以经由布线150接合到第二引线框122。模制部件160可以包括荧光体165。

在腔体的侧面作为反射面R的本体110的一部分可以配置倾斜面。当发光器件130被布置在腔体底面的中心时，腔体的反射面R可以具有左右对称的形状。

然而，传统的发光器件存在以下问题。

由于至少一个第一电极焊盘140被布置在发光器件130的顶部上，因而布置有第一电极焊盘140的区域的光通量可能减少，因为从发光器件130的内部发射的光通过第一电极焊盘140被反射。