[发明专利]一种光电传感器冷压焊倒装互连方法

权利要求书

1.一种光电传感器冷压焊倒装互连方法，其特征在于经过下列各步骤：

第一步、在玻璃基底上用蜡粘接光电敏感单元，并在光电敏感单元上通过常规沉积方法间隔设置厚度为200～500nm的第一粘接金属，再在第一粘接金属表面通过常规沉积方法设置厚度2000～4000nm的第一粘接金属，得到光电敏感元；

第二步、在信号放大读出电路上通过常规沉积方法间隔设置厚度为200～500nm的第二粘接金属，再在第二粘接金属表面通过常规沉积方法设置厚度为5000～8000nm的第二粘接金属，使成型后的第二粘接金属的上端面的面积为光电敏感元上第一粘接金属面积的25～50%，得到信号处理元；

第三步、将第二步所得信号处理元的第二粘接金属和第一步所得光电敏感元的第一粘接金属对准，并在室温下施加3～4Kg的压力，持续时间为5～10min完成冷压焊，使信号处理元的第二粘接金属发生形变，并嵌入到光电敏感元的第一粘接金属中，再去除玻璃基底和蜡，即得到倒装互连的光电传感器。

2.根据权利要求1所述的光电传感器冷压焊倒装互连方法，其特征在于：所述第一粘接金属和第二粘接金属为CrAu合金、Cr、Ti、TiAu合金中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的光电传感器冷压焊倒装互连方法，其特征在于：所述第一粘接金属和第二粘接金属为In、Se、InSe合金、PbSe合金中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的光电传感器冷压焊倒装互连方法，其特征在于：所述第二步中使成型后的第二粘接金属的上端面的面积为光电敏感元上第一粘接金属面积的25～50%，是通过常规离子束刻蚀、反应等离子体刻蚀、化学腐蚀或电感耦合等离子体刻蚀的方法，对第二粘接金属的上端面进行刻蚀，以使上端面的面积为光电敏感元上第一粘接金属面积的25～50%。