[发明专利]数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质有效
申请号: | 201510438510.1 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN105278236B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 山田亮 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/44;G03F1/80 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻特性 分割区域 分割数据 基板 设计数据 存储 蚀刻 数据修正装置 基准位置 检查装置 描画装置 存储部 修正 数据修正部 图案 分割 | ||
本发明提供数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质。数据修正部(21)具有:设计数据存储部(211),存储通过在基板上蚀刻形成的图案的设计数据;蚀刻特性存储部(212),存储与基板的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性;区域蚀刻特性获取部(213),基于基板上的各分割区域与多个基准位置的分别的位置关系求出各分割区域的区域蚀刻特性;以及分割数据修正部(214),将设计数据分割成与多个分割区域对应的多个分割数据,基于各分割区域的区域蚀刻特性来修正各分割数据。由此,能够考虑由于各分割区域在基板上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异,以良好的精度对各分割数据进行蚀刻修正。
技术领域
本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的技术。
背景技术
以往,在半导体基板或印刷基板、或者等离子体显示装置或液晶显示装置用的玻璃基板等(以下称为“基板”)的制造工序中,对基板施加各种各样的处理。例如,通过对表面上形成有抗蚀剂的图案的基板施加蚀刻,在基板上形成布线图案。在该蚀刻中,根据图案配置的疏密或图案的大小等,有时会出现在基板上形成的图案的形状与设计数据不同的情况。
在日本特许第3074675号公报(文献1)中,公开有使用电子束直写装置在基板上形成抗蚀剂图案,通过使用等离子体蚀刻装置进行蚀刻来形成图案的技术。此外,提出了在根据图案的设计数据生成电子束直写用数据的处理中包括对基于微负载效应的蚀刻后的图案尺寸的变化进行修正的处理。
在日本特许第4274784号公报(文献2)中,提出了使用蚀刻后的基板的图像数据与设计数据来生成尺寸调整规则,所述尺寸调整规则示出了为了获得所期望的蚀刻后基板,如何需要修正设计数据。
在日本特开2008-134512号公报(文献3)中,公开有在制造光掩模时,在图案间每隔一段空间(距离),指定用于修正过蚀刻的修正值的方法。此外,提出了在直线图案与圆弧图案对置的情况下对该对置的部位追加进一步修正。
在日本特开2013-12562号公报(文献4)中,公开有在考虑根据导体图案的设计数据进行侧面蚀刻的同时生成轮廓形状(导体图案的外形形状)时,基于邻接的轮廓形状间的距离来设定修正值的技术。
日本特开2013-250101号公报(文献5)涉及通过蚀刻形成的布线图案的缺陷检查。在该缺陷检查中,根据在基板的表面形成的测量用图案测量出蚀刻信息(蚀刻曲线),通过使用该蚀刻曲线对设计数据进行蚀刻模拟来生成检查数据。而且,通过对照基板上的布线图案的图像数据与检查数据,检测出布线图案的缺陷。在文献5中,提出了在印刷基板的上表面设定的多个检查区域中分别配置一个测量用图案来获取各检查区域用的蚀刻曲线。检查区域包括多个相同的片段图案,基于该检查区域用的蚀刻曲线以同样的方式修正这些多个片段图案。
近年,在对基板进行蚀刻的装置中,为了提高生产率,对配置有许多相同的片段(图案)的大型基板进行蚀刻。因此,根据基板上的位置的不同而蚀刻特性不同,即使对相同的片段进行蚀刻,有时也会出现蚀刻结果不同的情况。
发明内容
本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正装置,目的在于考虑根据对象物上的位置不同导致的蚀刻特性的差异,以良好的精度进行蚀刻修正。此外,本发明还涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正方法。进而,本发明还涉及记录介质,存储对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的程序。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备