[发明专利]一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片有效

专利信息
申请号: 201510395317.4 申请日: 2015-07-07
公开(公告)号: CN105084290B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 杨新安;张庆华;谷林;姚湲 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00;H01J37/20
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 代理人: 范晓斌,康正德
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 透射 电子显微镜 样品 mems 芯片
【权利要求书】:

1.一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片,用于承载待由所述透射电子显微镜检测的样品,包括:

电介质层;

薄膜状的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极形成在所述电介质层的上表面上并且相互间隔开;其中,所述第一电极具有沿第一方向延伸的第一主体部和从所述第一主体部的一侧沿横向于所述第一方向的第二方向伸出的多个第一指状部;每一第一指状部的末端部和/或侧部邻近于所述第二电极,从而在所述第一电极和所述第二电极之间的相互邻近处限定了电场施加区域;和

在所述电场施加区域内形成的通孔,所述通孔在垂直于所述电介质层的所述上表面的方向上穿透所述电介质层;

其中,在工作时,所述样品被承载在所述通孔处并通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而向所述样品施加所需要的电场。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述第二电极具有基本上沿所述第一方向延伸的第二主体部。

3.根据权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,所述第一电极的每一第一指状部在其末端部处邻近所述第二电极的所述第二主体部;

其中,所述电场施加区域包括多个第一电场施加区域,每一第一电场施加区域限定在一个第一指状部的末端部与所述第二电极的与所述第一指状部相邻的位置之间;

可选地,所述多个第一电场施加区域中至少两个第一电场施加区域在所述第二方向上的尺寸是不同的;

可选地,所述多个第一电场施加区域中至少两个第一电场施加区域内的所述通孔具有不同的尺寸。

4.根据权利要求3所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述第一指状部的末端部处和/或在所述第二电极的与所述第一指状部相邻近的位置处形成有电场修饰部,用于借助所述电场修饰部的形状在所述第一电场施加区域内形成所希望的电场分布。

5.根据权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,所述第二电极还具有从所述第二主体部基本上沿所述第二方向朝着所述第一电极伸出的多个第二指状部;每一第二指状部与所述第一电极的对应的一个第一指状部沿所述第二方向相邻近并相互面对;

其中,所述电场施加区域包括多个第二电场施加区域,每一第二电场施加区域限定在一个所述第一指状部的末端部与对应的所述第二指状部的末端部之间;

可选地,所述多个第二电场施加区域中至少两个第二电场施加区域在所述第二方向上的尺寸是不同的;

可选地,所述多个第二电场施加区域中至少两个第二电场施加区域内的所述通孔具有不同的尺寸。

6.根据权利要求5所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述第一指状部的末端部处和/或在所述第二指状部的末端部处形成有电场修饰部,用于借助所述电场修饰部的形状在所述第二电场施加区域内形成所希望的电场分布。

7.根据权利要求4或6所述的MEMS芯片,其特征在于,所述电场修饰部包括朝着所述电场施加区域伸出的凸起部和/或朝着所述电场施加区域凹入的凹入部;

可选地,所述凸起部和所述凹入部相互面对;其中,进一步可选地,所述凸起部伸入到所述凹入部内;

可选地,所述凸起部成形为朝着所述电场施加区域渐缩的尖角部。

可选地,所述凹入部成形为开口朝着所述电场施加区域的半圆弧形或矩形凹槽。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS芯片,其特征在于,所述第二电极还具有从所述第二主体部基本上沿所述第二方向朝着所述第一电极伸出的多个第二指状部;所述多个第二指状部与所述多个第一指状部基本上沿所述第一方向交错布置并沿所述第二方向至少部分地交叠,以使得所述第一指状部和所述第二指状部在它们的侧部处相互邻近;

其中,所述电场施加区域包括多个第三电场施加区域,每一第三电场施加区域限定在一个所述第一指状部及与其相邻的所述第二指状部的侧部之间;

可选地,所述第一指状部与所述第二指状部在所述第一方向上具有变化的间距,以使得所述多个第三电场施加区域中至少两个第三电场施加区域在所述第一方向上的尺寸是不同的;

可选地,所述多个第三电场施加区域中至少两个第三电场施加区域内的所述通孔具有不同的尺寸。

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