[发明专利]LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：

衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，欧姆接触层；所述电子阻挡层和所述欧姆接触层之间还生长有极化掺杂层，所述极化掺杂层为非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层，所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层中 Al的摩尔含量从与所述电子阻挡层接触的下表面到与所述欧姆接触层接触的上表面递减。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层的厚度为30~60nm。

3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层的厚度为50nm。

4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层与所述电子阻挡层接触的下表面中，所述x的取值范围为0.2~0.4；

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值范围为0~0.2。

5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层与所述电子阻挡层接触的下表面中，所述x的取值为0.3，所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层与所述欧姆接触层接触的上表面中，所述x的取值为0.01。

6.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，

所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层中Al的摩尔含量从与所述电子阻挡层接触的下表面到与所述欧姆接触层接触的上表面线性递减。

7.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，

提供一衬底；

在所述衬底上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长MQW有源层；

在所述MQW有源层上生长电子阻挡层；

在所述电子阻挡层上生长极化掺杂层；

在所述极化掺杂层上生长欧姆接触层；

其中，所述极化掺杂层为非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层，所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层中Al的摩尔含量从与所述电子阻挡层接触的下表面到与所述欧姆接触层接触的上表面递减。

8.根据权利要求7所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，

所述极化掺杂层的生长温度的取值范围为850℃~900℃，其生长压力为200~400mbar。

9.根据权利要求7所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，

所述极化掺杂层的生长速率的取值范围为0.02~0.08 nm/s。

10.根据权利要求7所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，

所述“在所述电子阻挡层上生长极化掺杂层”过程中，所述方法还包括：

所述极化掺杂层的生长环境为NH₃、N₂、H₂的混合气体，其中，所述NH₃的体积占比为50%~70%，所述N₂的体积占比为20%~40%，其它为H₂。