[发明专利]显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201510365975.9 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104966719A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 叶江波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括:
彩色滤光片阵列基板;
液晶层;以及
薄膜晶体管阵列基板;
所述薄膜晶体管阵列基板包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;
半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;
第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;
第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及
第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;
其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
5.一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;
半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;
第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;
第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及
第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;
其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
9.一种如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A、在所述基板上依次形成所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层;
B、在所述第一透明电极层上设置所述修补层,以利用所述修补层修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞;
C、在所述修补层上依次设置所述第二绝缘层和所述第二透明电极层。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述修补层的材料为透明金属、透明绝缘材料中的任意一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的