[发明专利]Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：包括衬底层和外延层，所述外延层内存在纳米级的孔洞，所述外延层的材料为Ⅲ族氮化物。

2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：所述孔洞以下的外延层中含有Al元素。

3.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：所述孔洞呈一个或多个层面分布于所述外延层内。

4.根据权利要求3所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：任一所述孔洞层面距离衬底层和外延层界面的距离的偏差值小于500nm。

5.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：所述孔洞的孔径为10-300nm。

6.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板，其特征在于：所述衬底层的材料为蓝宝石、Si、金刚石、SiC中的一种。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在衬底层上沉积一层Ⅲ族氮化物单晶薄膜层；

(2)对所述步骤(1)中的Ⅲ族氮化物单晶薄膜层进行退火处理；

(3)退火处理后，继续沉积Ⅲ族氮化物。

8.根据权利要求7所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板的制备方法，其特征在于：所述退火处理时使用的刻蚀气体为氢气，或是氢气和辅助气体的混合气体，所述辅助气体包括氯气和/或氯化氢气体，所述氢气的比例为50-90％，所述辅助气体的比例为0.1-10％。

9.根据权利要求7所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的退火温度为1400-1800℃，退火时间为1-120min。

10.根据权利要求7所述的Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的沉积温度为400-1600℃，所述步骤(3)中的沉积温度为1200-1600℃。