[发明专利]一种超疏水二氧化硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种超疏水薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）金属基体经砂纸打磨至600目后，在乙醇中超声10分钟后取出，经自来水、去离子水清洗烘干后放入60 ºC恒温干燥箱内待用；

2）称取纳米级SiO₂粉末分散在pH = 8～12的氨水溶液中，磁力搅拌1h后备用；在另一容器中加入疏水性长链硅烷分散在乙醇或者丙酮中，磁力搅拌1h后备用，将后一溶液逐滴加入到前一溶液中，磁力搅拌6小时后形成均一的悬浊液，陈化2 ～ 6小时后，离心分离，得到的白色粉末在60 ℃烘箱中干燥，得到超疏水的SiO₂粉末；其中每100ml乙醇或者丙酮中添加1～3g纳米级SiO₂粉末及2～10 mL疏水性长链硅烷；

3）称取质量分数为0.1 % ～ 10 %的超疏水SiO₂粉末分散到丙酮或乙醇中，一边搅拌一边加入质量分数为0.5 %～10.0 %树脂粘结剂，搅拌0.5小时后，得到电泳液；

4）在直流电源上，采用两电极体系在电泳液中进行电泳沉积，其中金属基体作为正极，石墨电极作为负极，两电极间距2 cm，电压控制在5～80 V，电泳时间控制在1～6 min，电泳结束后，用乙醇清洗电极表面多余的溶液，然后置于100 ºC的烘箱内烘干，得到超疏水薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种超疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述的金属基体包括铝、镁、钛及其合金。

3.根据权利要求1所述的一种超疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述的树脂粘接剂包括丙烯酸树脂或环氧树脂。