[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510333832.X 申请日: 2015-06-16
公开(公告)号: CN104880852B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 曹雪;陈希;陈东;薛海林;谢建云;王建;李彦辰;赵伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括基板和设置在所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元、多条栅线和多条公共电极线,每行所述像素单元对应一条所述栅线和一条所述公共电极线,与各行所述像素单元对应的所述栅线和所述公共电极线位于各行所述像素单元的同一侧,且相互平行并间隔,其特征在于,还包括遮光条,所述遮光条与所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域位置相对应,且所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述间隔区域;

所述遮光条的宽度大于等于所述间隔区域的宽度,且小于所述栅线、所述公共电极线和所述间隔区域的总宽度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线和所述公共电极线同层设置,所述遮光条位于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元包括晶体管,所述晶体管包括栅极、有源区、源极和漏极,所述栅极与所述栅线同层设置并连接,所述源极和所述漏极同层设置且采用相同材料制成,所述源极和所述漏极位于所述栅极上方或下方,所述遮光条与所述源极和所述漏极同层设置且采用相同的材料制成。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括像素电极,所述像素电极设置在所述遮光条的上方,且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括公共电极,所述公共电极与所述像素电极位置相对应,所述公共电极设置在所述栅线和所述公共电极线下方,且所述公共电极与所述公共电极线连接。

6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括像素电极和公共电极,所述像素电极设置在所述公共电极上方,所述公共电极设置在所述遮光条上方,且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。

7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括像素电极和公共电极,所述公共电极设置在所述像素电极上方,所述像素电极设置在所述遮光条上方,且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。

8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8所述的显示面板。

10.一种如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板的制备方法,包括:在基板上形成像素单元、栅线和公共电极线,其特征在于,还包括在基板上形成遮光条,所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述栅线和所述公共电极线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成,所述遮光条形成于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。

12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,形成所述像素单元包括形成晶体管,形成所述晶体管包括形成栅极、有源区、源极和漏极,所述栅极与所述栅线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成;所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成,所述遮光条与所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,形成所述像素单元还包括形成像素电极,所述像素电极形成于所述遮光条上方,且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。

14.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极,所述公共电极形成于所述像素电极上方,所述像素电极形成于所述遮光条上方,且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。

15.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极,所述像素电极形成于所述公共电极上方,所述公共电极形成于所述遮光条上方,且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。

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