[发明专利]基于共振隧穿效应的近红外探测器在审
| 申请号： | 201510308843.2 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105047725A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王广龙;董宇;倪海桥;陈建辉;高凤岐;乔中涛;裴康明;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 共振 效应 红外探测器 | ||
1.一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，探测器的主体结构为共振隧穿二极管，其特征在于：共振隧穿二极管具有三势垒结构，沿外延生长方向依次设计为衬底、电极、发射极、隔离层、势垒层、量子阱、势垒层、量子阱、势垒层、吸收层、集电极和电极。
2.如权利要求1所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器，其特征在于：其中吸收层厚度范围是0.1-2μm，采用材料为InGaAs。
3.如权利要求1所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器，其特征在于：其中发射极为n型重掺杂，隔离层和势垒层不掺杂，量子阱和吸收层不掺杂，集电极为n型重掺杂。
4.如权利要求3所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器，其特征在于：其中三势垒结构中，靠近集电极一侧的势阱厚度小于靠近发射极一侧的势阱厚度。
5.如权利要求1所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器的制备方法，其特征在于：首先采用分子束外延技术生长探测器的材料层，外延生长的顺序为：发射极、隔离层、势垒层、量子阱、势垒层、量子阱、势垒层、吸收层和集电极；
然后采用刻蚀技术形成台面，并采用SiO2对器件侧壁进行钝化，通过湿法腐蚀在器件顶部形成光敏面；
最后采用金属溅射及剥离技术形成电极。
6.如权利要求5所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器的制备方法，其中吸收层厚度范围是0.1-2μm，采用材料为InGaAs。
7.如权利要求5所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器的制备方法，其中，隔离层的厚度范围为2-20nm，势垒层的厚度范围为1-7nm，量子阱厚度范围为1-7nm。
8.如权利要求7所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器的制备方法，其中，三势垒结构中，靠近集电极一侧的势阱厚度小于靠近发射极一侧的势阱厚度。
9.如权利要求8所述的基于共振隧穿效应的近红外探测器的制备方法，其中，发射极为n型重掺杂，隔离层和势垒层不掺杂，量子阱和吸收层不掺杂，集电极为n型重掺杂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院，未经中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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