[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及适用于能够通过手指、触控笔(styluspen)等的接触来输入信息的输入显示装置等的透明导电性薄膜。

背景技术

迄今为止，已知在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜与铟-锡氧化物层之间具有无机硅化合物层(例如SiO₂层)的透明导电性薄膜(专利文献1)。这种透明导电性薄膜具有以下特征：由于无机硅氧化物层可以抑制作为使铟-锡氧化物层的特性降低的主要原因的、来自聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的水分等挥发成分的产生，因此电阻率小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-184478号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，随着搭载于输入显示装置等的触摸面板的大型化，需要进一步减小透明导电性薄膜的电阻率。然而，上述现有的透明导电性薄膜的电阻率为5.0×10^-4Ω·cm左右，用作大型触摸面板的透明电极时称不上为充分的值。加之，在大型触摸面板用的透明导电性薄膜中，也需要具备作为原本特性的良好的透明性，并且，在制造工序中，薄膜基材有时会变得容易弯曲、处理变得烦杂，因此需要实现良好的处理性。

本发明的目的是提供透明性和处理性良好、且电阻率更小的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的透明导电性薄膜的特征在于，至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化层、无机硅氧化物层及铟-锡氧化物层，前述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为40μm～130μm，前述固化层在该固化层内具备多个无机颗粒，前述固化层的厚度与前述无机硅氧化物层的厚度的总和为300nm以上并且不足3000nm，前述无机硅氧化物层的厚度超过15nm，前述铟-锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。

优选的是，前述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为70μm～130μm。

另外优选的是，前述固化层中的多个无机颗粒的体积占有率为15％～70％。

另外优选的是，通过BET法计算出的前述多个无机颗粒的平均粒径为5nm～50nm。

另外优选的是，前述固化层的厚度与前述无机硅氧化物层的厚度的总和为400nm以上并且800nm以下。

另外优选的是，前述无机硅氧化物层的厚度为20nm～40nm。

进一步优选的是，前述铟-锡氧化物层为多晶层，其厚度为超过20nm并且40nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足1nm。

另外优选的是，前述铟-锡氧化物层在其厚度方向上具有氧化锡的浓度梯度，前述厚度方向上的氧化锡浓度的最小值为1重量％～4重量％。

另外，提供电阻率为3.7×10^-4Ω·cm以下、且总透光率为90％以上的透明导电性薄膜。

需要说明的是，对于本发明的透明导电性薄膜，也可以在前述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的一侧的主面上形成前述固化层，在前述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的另一侧的主面上形成其他固化层。

另外，也可以在前述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜与前述固化层之间形成易粘接层。

发明的效果

根据本发明，由于作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜具有40μm～130μm范围的厚度值，因此可以赋予透明导电性薄膜适度的刚性，在制造工序中的处理性变得良好。另外，通过在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜与铟-锡氧化物层之间设有具有无机颗粒的固化层和无机硅氧化物层，且固化层与无机硅氧化物层厚度的总和具有300nm以上并且不足3000nm的范围的值，进而将无机硅氧化物层的厚度设定至超过15nm，由于可以充分地抑制制造工序中的来自聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的水分的产生，因此可以边实现良好的透明性，边使电阻率变小。进而，由于铟-锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm，因此可以实现高透光率、并且通过具有表面平滑的铟-锡氧化物层而实现更小的电阻率。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的实施方式的透明导电性薄膜的结构的截面图。