[发明专利]透明导电性薄膜

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化层、无机硅氧化物层及铟-锡氧化物层，

所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为40μm～130μm，

所述固化层在该固化层内具备多个无机颗粒，

所述固化层的厚度与所述无机硅氧化物层的厚度的总和为300nm以上并且不足3000nm，

所述无机硅氧化物层的厚度超过15nm，

所述铟-锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为70μm～130μm。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述固化层中的多个无机颗粒的体积占有率为15％～70％。

4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，通过BET法计算出的所述多个无机颗粒的平均粒径为5nm～50nm。

5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述固化层的厚度与所述无机硅氧化物层的厚度的总和为400nm以上并且800nm以下。

6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述无机硅氧化物层的厚度为20nm～40nm。

7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述铟-锡氧化物层为多晶层，其厚度为超过20nm并且40nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足1nm。

8.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述铟-锡氧化物层在其厚度方向上具有氧化锡的浓度梯度，所述厚度方向上的氧化锡浓度的最小值为1重量％～4重量％。

9.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，电阻率为3.7×10^-4Ω·cm以下，且总透光率为90％以上。

10.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的一侧的主面上形成所述固化层，在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的另一侧的主面上形成其他固化层。

11.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜与所述固化层之间形成易粘接层。