[发明专利]一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺

说明书

技术领域

本发明属于触摸屏制作技术领域，具体涉及一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺。

背景技术

触摸屏是一种将感应信号转化为数字信号，实现人机交互的一种装置；其中电容触摸屏是将手指或者导电介质在触摸时与基板上的电极间所产生的电容变化，通过驱动芯片的数字转换，输出手指或者导电介质触控的坐标位置。目前电容触摸屏已经广泛应用于手机，平板等领域。现在主流的电容式触摸屏结构有G+F、G+F2、OGS、on-cell、in-cell等结构。其中，G+F的单层设计中，为了实现单层多点触控采用的图案设计无法满足在同一平面内布线不交叉的条件，只能采用跳线的设计。目前单层多点的跳线设计存在制作精度较低、平滑度不够、良品率低等缺点。

电容式触摸屏感应器的制作方法主要有印刷制程、镭雕制程和黄光制程等；印刷制程工艺简单，设备成本较低，但其线路精度只能做到0.1mm，而且线性度较差，触控感应不灵敏，不适合大尺寸的感应器制作；镭雕制程线路精度可达到0.05mm，但存在工艺效率和爆点问题，不适合复杂图形的批量生产；黄光制程线路精度可达到0.04mm，线性度良好，触控感应灵敏，支持复杂图形的设计，是目前比较主流的生产方式。传统的黄光制程工艺是对感应器的ITO 层采用曝光显影的制作方法，对金属层采用银浆印刷的方法，这样的工艺需要两次图像成型，工序较为复杂，对上下层图形的对位精准度要求较高，金属层线宽较大，优良率低。

现有公开的一种GF2 双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜；步骤B、曝光、显影；步骤C、第一次蚀刻、剥膜；步骤D、耐酸印刷；步骤E、第二次蚀刻、剥膜；步骤F、绝缘印刷；步骤G、覆膜分切。该方法采用干膜工艺，干膜制程会产生膜渣的，造成污染物多，且产品的厚度会比较厚，费用成本较高，精细的线路合格率降低，在制作中干膜制成容易存在毛边和裂痕，生产过程容易影响良率等缺点；其次，干膜制成还会导致膜覆盖性能较差，产品的线宽距受到限制等缺点。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种基于一次曝光成型的膜结构触摸屏感应器黄光工艺的单层多点方案，采用湿膜制作工艺，增强了膜的附着力，覆盖性能好，改善了线宽线距，降低了产品厚度，提高单层多点类触摸屏产品的制作精度、平滑度、良品率等。实现了单层多点的突破，回避了玻璃结构的单层多点（OGS）产品易碎裂、良品率低等缺点；同时又区别于传统多次曝光的膜结构单层多点产品，相比之下更加节省材料，节省工时，且不产生污染，厚度更薄；而且最终成品具有比普通膜结构单层多点更细的线宽线距，优于同等线宽线距下的镭射工艺的线路平滑性。

为了实现上述目的，本发明提供的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，依次包括以下步骤：

S1、涂布：在镀铜ITO膜表面上涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光阻层；

S2、曝光：对涂敷在镀铜ITO膜表面上的光阻层进行曝光；

S3、显影：将曝光后的镀铜ITO膜用碱性溶液显影；

S4、第一次蚀刻：将显影后的镀铜ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，同时在镀铜金属层和ITO膜上形成图案；本步骤利用酸性溶液同时对金属层和ITO进行蚀刻，在金属层和ITO上都形成图案；

S5、第一次剥膜：将蚀刻后的镀铜ITO膜用碱性溶液去除镀铜ITO膜表面的光阻层；

S6、油墨印刷：在剥膜后的镀铜ITO膜上印刷耐酸油墨，经紫外灯照射下固化耐酸油墨，以保护可视区外的经步骤S4蚀刻形成的金属线路图案；

S7、第二次蚀刻：将印刷耐酸油墨后的镀铜ITO膜用强氧化性溶液进行浸泡或喷淋，进一步蚀刻可视区的金属层；利用第二次蚀刻，将进一步蚀刻可视区的金属层，使经过第一次蚀刻后在金属层和ITO上形成图案更加精准；

S8、第二次剥膜：将经过步骤S7后的镀铜ITO膜用碱性溶液进行浸泡或喷淋，去除耐酸油墨；

S9、绝缘印刷：在经过步骤S8后的镀铜ITO膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射下固化；

S10、银浆印刷：在经过步骤S9后的镀铜ITO膜上印上导电银浆，并在紫外灯下固化形成跳线，得到所述膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器。

进一步的，所述的步骤S1中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7 um，所述烘烤固化温度为120~130℃。