[发明专利]一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺

权利要求书

1.一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：

S1、涂布：在镀铜ITO膜表面上涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光阻层；

S2、曝光：对涂敷在镀铜ITO膜表面上的光阻层进行曝光；

S3、显影：将曝光后的镀铜ITO膜用碱性溶液显影；

S4、第一次蚀刻：将显影后的镀铜ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，同时在镀铜金属层和ITO膜上形成图案；

S5、第一次剥膜：将蚀刻后的镀铜ITO膜用碱性溶液去除镀铜ITO膜表面的光阻层；

S6、油墨印刷：在剥膜后的镀铜ITO膜上印刷耐酸油墨，经紫外灯照射下固化耐酸油墨，以保护可视区外的经步骤S4蚀刻形成的金属线路图案；

S7、第二次蚀刻：将印刷耐酸油墨后的镀铜ITO膜用强氧化性溶液进行浸泡或喷淋，进一步蚀刻可视区的金属层；

S8、第二次剥膜：将经过步骤S7后的镀铜ITO膜用碱性溶液进行浸泡或喷淋，去除耐酸油墨；

S9、绝缘印刷：在经过步骤S8后的镀铜ITO膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射下固化；

S10、银浆印刷：在经过步骤S9后的镀铜ITO膜上印上导电银浆，并在紫外灯下固化形成跳线，得到所述膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器。

2.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述的步骤S1中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7 um，所述烘烤固化温度为120~130℃。

3.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述的步骤S2的曝光是在黄光环境中，用波长为200~400 nm的紫外线垂直照射光阻层，曝光能量为200~300 J/cm²。

4.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述步骤S3中显影温度为20~25℃，显影时间为50±20 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为0.1~1.0 %wt。

5.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述步骤S4中蚀刻温度为30~50℃，蚀刻时间为50±30 s；所述酸性溶液为硝酸或盐酸溶液，质量浓度为20±2%wt。

6.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述步骤S5中剥膜温度为30±5℃，剥膜时间为40±10 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为2±0.5%wt。

7.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述步骤S7中蚀刻温度为30~40℃，蚀刻时间为50±30 s；所述的强氧化性溶液为双氧水，质量浓度为5~6%wt。

8.根据权利要求1所述的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，所述步骤S8中剥膜温度为30±5℃，剥膜时间为40±10 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为2±0.5%wt。