[发明专利]氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法在审
| 申请号： | 201510271954.0 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104882362A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 清洗 工艺 改善 注入 光刻 残留 方法 | ||
1.一种氧化硅层的清洗工艺，所述氧化硅层形成在半导体衬底上，包括：
利用氢氟酸溶液对所述氧化硅层进行厚度调整，去除部分氧化硅层；
利用氨水与双氧水的溶液对厚度调整之后的氧化硅层的表面进行颗粒物去除步骤；
其特征在于，在所述颗粒物去除步骤之后，还包括：
进行清洗步骤，将所述去除步骤中在氧化硅层表面形成的氨盐去除。
2.如权利要求1所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤利用酸性溶液进行。
3.如权利要求2所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤利用硫酸或盐酸溶液进行。
4.如权利要求3所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤利用硫酸溶液进行，所述硫酸溶液浓度为90％-98％，所述浓度为质量浓度。
5.如权利要求4所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤的工艺时间为2-15分钟，所述硫酸溶液的温度范围为50-150摄氏度。
6.如权利要求3所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤利用盐酸溶液进行，所述盐酸溶液浓度为10％-50％，所述浓度为质量浓度。
7.如权利要求6所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤的工艺时间为2-10分钟，所述盐酸溶液的温度范围为20-80摄氏度。
8.如权利要求1所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述清洗步骤利用中性溶液进行。
9.如权利要求8所述的氧化硅层的清洗工艺，其特征在于，所述中性溶液为去离子水，所述清洗步骤的时间为1-10分钟，所述清洗步骤的温度范围为1-80摄氏度。
10.一种改善阱注入前光刻残留的方法，包括：
在半导体衬底上形成氧化硅层；
利用氢氟酸溶液对所述氧化硅层进行厚度调整；
利用氨水与双氧水的溶液对厚度调整之后的氧化硅层的表面进行颗粒物去除，
其特征在于，在所述颗粒物去除之后，还包括清洗步骤，所述清洗步骤用于将颗粒物去除之后的氧化硅层表面的氨盐去除，利用酸性溶液或中性溶液对氧化硅层表面的氨盐残留去除，以消除所述氨盐对后续的阱注入前的光刻残留问题。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
