[发明专利]一种大型汽车缓速器智能控装置有效
申请号: | 201510244000.0 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN104859458B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 衣丰艳;周稼铭;何仁;周长峰;罗震钧;刘永辉;张竹林;衣杰 | 申请(专利权)人: | 山东交通学院 |
主分类号: | B60L7/00 | 分类号: | B60L7/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 250023 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大型 汽车 缓速器 智能 装置 | ||
技术领域
本发明属于汽车缓速器技术领域,尤其涉及一种大型汽车缓速器智能控装置。
背景技术
目前,缓速器是一种用于汽车辅助制动装置,随着汽车的速度越来越快,汽车的制动负荷也越来越大,特别是在频繁停车的市区内公交车辆以及在山区行驶的车辆上,现在汽车上用的缓速器开关为机械直拉式开关,缓速器的启闭都要靠驾驶员的手动操作。但是,现有的汽车缓速器智能控制装置存在的可靠性和安全性低,使用寿命短,维修利润高,功能不够完善,使用效果差的问题。
发明内容
本发明为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种结构简单、安装使用方便、提高工作效率的大型汽车缓速器智能控装置。
本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:
该大型汽车缓速器智能控装置包括:底座、控制装置、控制电路板、变换器、输入端子、散热传感器、缓速器装置、显示灯区、定子总成、温度计;
底座上安装有控制装置,控制装置内部设置有控制电路板,控制装置上端安装有变换器,变换器上端安装有散热传感器,散热传感器右侧设置有输入端子,散热传感器左侧安装有定子总成和温度计,散热传感器上端安装有缓速器装置和显示灯区,控制电路板分别与变换器、散热传感器、缓速器装置、显示灯区相连接;
控制装置包括:指示灯、芯片、开关按钮、电池、调节按键;控制装置的中部分别安装有指示灯和调节按钮,控制装置的顶部安装有开关按钮,开关按钮下端设置有电池,电池下端设置有芯片,指示灯通过开关按钮与电池相连接,调节按钮与芯片相连接;电池采用锂电池组;
所述的缓速器装置包括:套筒、导磁框板、齿轮、连接扣、主轴;缓速器装置中部设置有导磁框板,导磁框板右侧设置有齿轮,导磁框板左侧安装有套筒,套筒通过连接扣与主轴连接固定;
所述的定子总成包括:导磁板、定子框架、连接环、定子磁芯、定子支撑骨架;定子总成外侧设置有定子框架,定子框架上端安装有导磁板,导磁板通过定子支撑骨架与连接环相连接,连接环下端设置有定子磁芯;
所述的控制电路板包括:传输线、电源电路、单片机、稳压电源;控制电路板上端设置有传输线,控制电路板中部设置有单片机,单片机两端分别安装有电源电路和稳压电流,单片机分别与传输线、电源电路、稳压电源相连接;
所述的变换器包括:电极管、电阻、导流叶片;变换器中部安装有电阻,电阻的两侧设置有电极管和导流叶片,电极管通过电阻与导流叶片相连接;
所述的输入端子包括:电流功率输出口、开导电压器、线圈;输入端子上侧安装有线圈,线圈下端设置有电流功率输出口,电流功率输出口下端安装有开导电压器,开导电压器通过线圈与电流功率输出口相连接;
所述的散热传感器包括:散热孔、散热罩、牵引风扇组件;散热传感器上设置有散热罩,散热罩上安装有散热孔,散热罩内部安装有牵引风扇组件;
所述的显示灯区包括LED压力信号灯和LED温度报警灯;LED压力信号灯设置在LED温度报警灯的右侧。
本发明还可以采用如下技术措施:
所述的芯片包括用于对芯片进行测试的测试模块,加密电路,测试控制电路;加密电路从外部接收输入密码,将接收的输入密码与预定密码进行比较,并根据比较结果输出测试控制信号到测试控制电路,测试控制电路接收测试模块选择信号,并基于测试模块选择信号和测试控制信号输出测试信号到测试模块,以控制对芯片的测试;
测试控制信号包括测试控制使能信号和测试控制非使能信号,测试模块选择信号包括选择使能信号和选择非使能信号,测试信号包括用于允许测试模块对芯片进行测试的测试使能信号和用于禁止测试模块对芯片进行测试的测试非使能信号,当输入密码与所述预定密码相同时,加密电路输出测试控制使能信号到测试控制电路;当输入密码与所述预定密码不同时,加密电路输出测试控制非使能信号到测试控制电路,测试控制电路基于选择使能信号和测试控制使能信号输出测试使能信号到测试模块,测试控制电路基于选择非使能信号和测试控制使能信号输出测试非使能信号到测试模块,基于测试模块选择信号和测试控制非使能信号输出测试非使能信号到测试模块。
所述的芯片的制作方法包括以下步骤:
步骤一:提供一透光衬底,在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层;
步骤二:对步骤一获得的结构周围进行刻蚀,形成第一台阶,第一台阶底面到达所述N型半导体层中,在第一台阶上安装测试模块;
步骤三:在所述P型半导体层上形成一反射层,在反射层内安装加密电路;
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