[发明专利]量子点发光二极管结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光二极管结构及制造方法。

背景技术

量子点发光二极管是介于液晶和OLED之间的新型技术，其拥有成本低、低功耗等优点而引起人们的关注，目前正逐渐被广泛使用，具有较好的市场前景。但目前所使用的QLED器件结构为层叠式，光通过多层结构激发出来，各层都会对光造成不用程度的损害，而使出光效率不高，器件的整体光亮度不足。

发明内容

基于此，有必要针对光亮度不足的问题，提供一种量子点发光二极管结构。

一种量子点发光二极管结构，包括：基板；设置在所述基板上的阴极，和依次形成于所述阴极上的电子注入层、电子传输层；设置在所述基板上的阳极，和依次形成于所述阳极上的空穴注入层，空穴传输层；以及与所述电子传输层、所述空穴传输层相连接的量子发光层，所述电子传输层、所述空穴传输层分布在所述量子发光层同一侧。

在其中一个实施例中，基板为玻璃基板或陶瓷基板。

在其中一个实施例中，基板上设置有反射层。

在其中一个实施例中，还包括第二电极，所述第二电极包括第二正电极与第二负电极，所述第二正电极设置在所述阳极远离所述阴极侧，所述第二负电极设置在所述阴极远离所述阳极侧。

还提供一种量子点发光二极管制造方法，包括以下步骤：S1，在基板上形成阴极区域与阳极区域；S2，在所述阴极区域上依次形成阴极、电子注入层和电子传输层；在所述阳极区域上依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层；以及S3，在所述电子传输层、空穴传输层上形成量子发光层，所述电子传输层与所述空穴传输层位于所述量子发光层同一侧。

在其中一个实施例中，步骤S1具体包括：S11，在所述基板上分层开设导电沟槽；S12，在所述导电沟槽中填入导电材料，制成导电层；S13，通过通孔互连将所述导电层引至所述基板表面，形成所述阴极区域与所述阳极区域。

在其中一个实施例中，步骤S1前，还包括步骤：S0，在所述基板上形成反射层。

在其中一个实施例中，步骤S2具体为：S21，利用掩膜板将所述阴极、电子注入层与电子传输层蒸镀在所述基板阴极区域上；S22，利用掩膜板将所述阳极、空穴注入层与空穴传输层蒸镀在所述基板阳极区域上。

在其中一个实施例中，步骤S3中形成所述量子发光层的方法为旋涂或喷墨打印。

在其中一个实施例中，还包括步骤：S4，在所述量子发光层两侧蒸镀第二正电极与第二负电极，所述第二正电极位于所述空穴传输层远离所述电子传输层一侧，所述第二负电极位于所述电子传输层远离所述空穴传输层一侧。

上述量子点发光二极管结构，大部分光可直接从量子发光层毫无阻挡地发射出来，避免了传统器件结构中各层对光造成不同程度的损耗，提高光亮度。

此外，二极管两侧加设第二电极，第二电极形成的电场加快电子传输层与空穴传输层内的电子和空穴迁移，促进两者在量子发光层内复合，提高光亮度。

附图说明

图1为量子点发光二极管结构示意图；

图2为第一实施例中量子点发光二极管结构示意图；

图3为第二实施例中量子点发光二极管结构示意图；

图4为量子点发光二极管制造方法步骤流程图；

图5为图4中步骤S1具体操作方法流程图；

图6为图4中步骤S2具体操作方法流程图；

图7为第三实施例的量子点发光二极管制造方法步骤流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

本发明提出的量子点发光二极管结构包括：基板10、阴极20、电子注入层21、电子传输层22、量子发光层40、阳极30、空穴注入层31、空穴传输层32。

请参见图1。在基板10上设置有阴极20与阳极30，基板10为玻璃基板或陶瓷基板，基板具有一定厚度，在板中分层挖设导电沟槽。阴极20与阳极30在基板中分层设置，通过通孔互连将底面的电极引至基板10表面。

阴极20上依次为电子注入层21和电子传输层22，电子注入层21提供电子，电子传输层22传输电子，传输至量子发光层与空穴复合产生激子。