[发明专利]量子点发光二极管结构及制造方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管结构，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的阴极，和依次形成于所述阴极上的电子注入层、电子传输层；

设置在所述基板上的阳极，和依次形成于所述阳极上的空穴注入层，空穴传输层；以及

与所述电子传输层、所述空穴传输层相连接的量子发光层，所述电子传输层、所述空穴传输层分布在所述量子发光层同一侧；

在所述基板中分层挖设导电沟槽，所述阴极与阳极在所述基板中分层设置，通过通孔互连将底面的电极引至所述基板表面。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管结构，其特征在于，所述基板为玻璃基板或陶瓷基板。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管结构，其特征在于，所述基板上设置有反射层。

4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管结构，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极包括第二正电极与第二负电极，所述第二正电极设置在所述阳极远离所述阴极侧，所述第二负电极设置在所述阴极远离所述阳极侧。

5.一种量子点发光二极管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在基板上形成阴极区域与阳极区域；

S2，在所述阴极区域上依次形成阴极、电子注入层和电子传输层；在所述阳极区域上依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层；以及

S3，在所述电子传输层、空穴传输层上形成量子发光层，所述电子传输层与所述空穴传输层位于所述量子发光层同一侧；

所述步骤S1具体包括：

S11，在所述基板上分层开设导电沟槽；

S12，在所述导电沟槽中填入导电材料，制成导电层；

S13，通过通孔互连将所述导电层引至所述基板表面，形成所述阴极区域与所述阳极区域。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管制造方法，其特征在于，所述步骤S1前，还包括步骤：

S0，在所述基板上形成反射层。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管制造方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：

S21，利用掩膜板将所述阴极、电子注入层与电子传输层蒸镀在所述基板阴极区域上；

S22，利用掩膜板将所述阳极、空穴注入层与空穴传输层蒸镀在所述基板阳极区域上。

8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管制造方法，其特征在于，所述步骤S3中形成所述量子发光层的方法为旋涂或喷墨打印。

9.根据权利要求5所述的量子点发光二极管制造方法，其特征在于，还包括步骤：

S4，在所述量子发光层两侧蒸镀第二正电极与第二负电极，所述第二正电极位于所述空穴传输层远离所述电子传输层一侧，所述第二负电极位于所述电子传输层远离所述空穴传输层一侧。