[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的基板处理装置。CMP装置具备晶片的研磨单元(3)、晶片的清洗单元(4)、将基板向研磨单元(3)交接并且从清洗单元(4)接收基板的装载/卸载单元(2)、晶片的搬送单元、及控制将晶片向CMP装置投入的投入时序的控制部(5)。控制部(5)以从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式，制作按照投入至CMP装置的多个晶片的每一个晶片，将研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的时刻表，且根据时刻表来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

近年来，使用基板处理装置，以对半导体晶片等基板进行各种处理。作为基板处理装置的一例，列举有用于进行基板研磨处理的CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)装置。

CMP装置具备用于进行基板研磨处理的研磨单元、用于进行基板的清洗处理及干燥处理的清洗单元、将基板向研磨单元交接并且接收由清洗单元而被清洗处理及干燥处理后的基板的装载/卸载单元等。此外，CMP装置具备在研磨单元、清洗单元、及装载/卸载单元内进行基板搬送的搬送单元。CMP装置一边由搬送单元搬送基板，一边依序进行研磨、清洗、及干燥的各种处理。

但是，若在CMP装置中将多个基板连续搬送时，通过优先执行的基板的处理等待、或与以不同的路径被搬送的基板共有的处理部的空档等待等，会产生基板的待机状态。例如，若在从研磨处理开始起直到清洗处理结束为止的期间产生基板的待机状态时，由于经时变化(腐蚀等)、或外在干扰(粉尘等)，基板状态有可能成为不安定。特别是，若在基板的研磨对象物中含有铜(Cu)的情况下，当研磨结束后直到清洗开始为止的待机时间长时，腐蚀的影响会变大。

这一点，在现有技术中提出了通过预测清洗单元中的清洗开始时刻，来削减从研磨单元至清洗单元的基板等待时间的方案。

专利文献1：日本专利第5023146号公报

(发明所要解决的问题)

但是，现有技术并未考虑在清洗单元中的清洗处理及搬送路径的自由度高的基板处理装置中，削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的情形。

即，在现有技术中，是以如下为前提的：基板处理装置通过清洗单元的多个清洗部依次清洗由研磨单元进行了研磨处理的基板，之后使其干燥而送回至装载/卸载单元。因此，在现有技术中，例如在由于清洗单元具有可并列进行清洗处理的多个清洗部而使清洗单元内的基板的搬送路径会复杂化的情况下，有可能在清洗单元内产生基板的待机状态。当在清洗单元内暂时产生基板待机状态时，在预定通过该基板所位于的场所的后续的基板也有可能产生待机状态。

发明内容

因此，本发明的课题在清洗单元中的清洗处理及搬送路径的自由度高的基板处理装置中，削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态。

(用于解决问题的手段)