[发明专利]像素结构以及显示面板有效

专利信息
申请号: 201510151323.5 申请日: 2015-04-01
公开(公告)号: CN104698697B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 李益志;叶昭纬;古正彬;郑伟成;丁天伦;林贞君 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 梁挥,祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 以及 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种像素结构以及显示面板,且特别是有关于一种有助于提升光穿透率的像素结构以及应用所述像素结构的显示面板。

背景技术

目前,市场对于液晶显示面板的性能要求包括高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、低色偏(low color shift)、高亮度(high luminance)、高色饱和度、快速反应与广视角等特性。目前能够达成广视角要求的技术包括了扭转向列型(Twisted Nematic,TN)液晶搭配广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plane Switching,IPS)液晶显示面板、边际场切换式(Fringe Field Switching)液晶显示面板与多域垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶显示面板等。

在现有多域垂直配向液晶显示面板中,像素电极会形成多个狭缝开口,藉此控制液晶层的多个液晶分子朝多种方向倾倒,从而达到广视角的目的。然而,液晶分子在非均匀电场的作用下会感受到不同的电场大小与方向,导致部分液晶分子朝非预期的方向倾倒,而在对应像素电极的中间或边缘处产生非期望的错向线(disclination line)以及错向点(disclination node),进而影响显示面板的光穿透率。

发明内容

本发明提供一种像素结构,其有助于提升光穿透率。

本发明提供一种显示面板,其应用上述像素结构而具有理想的光穿透率。

本发明的一种像素结构,其包括基板、绝缘层以及像素电极。基板具有表面。绝缘层配置于基板上而定义出第一区以及第二区且第二区围绕在第一区周边,其中第一区具有第一区顶面而第二区具有第二区顶面。第一区顶面至表面的第一距离小于第二区顶面至表面的第二距离。像素电极配置于基板上,且像素电极的至少部分面积由第一区顶面连续地延伸至第二区顶面,其中像素电极具有主干开口以及连通于主干开口的多个狭缝开口。主干开口沿十字形轨迹分布以划分出多个配向区。同一个配向区中的狭缝开口彼此平行而在相邻两个狭缝开口之间定义出像素电极的一个条纹部,且十字形轨迹的交叉处位于第一区中。

本发明的一种显示面板,其包括上述的多个像素结构以及液晶层。液晶层的液晶分子由像素结构驱动,且在像素结构驱动下,液晶分子皆向第二区倾倒。

基于上述,本发明实施例的像素结构利用像素电极的边缘高于中心的设计,使液晶分子在驱动时稳定地向外倾倒,而有助于提升光穿透率,且使应用上述像素结构的显示面板能够具有理想的光穿透率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种像素结构的上视示意图。

图1B是图1A的像素结构的一实施例的局部放大示意图。

图1C及图1D分别是沿图1B的剖线I-I、II-II的剖面示意图。

图1E是图1C中区域C的另一实施型态。

图2A是图1A的像素结构的另一实施例的局部放大示意图。

图2B及图2C分别是沿图2A的剖线III-III、IV-IV的剖面示意图。

图3至图10分别是图1A的像素结构在其他实施例中的局部放大示意图。

图11是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。

其中,附图标记:

10:显示面板

14:液晶层

16:对向基板

12、100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I:像素结构

110:基板

120:绝缘层

130、130A、130B、130C、130D、130E、130F、130G:像素电极

132:条纹部

134、134A、134B、134C:周边连接部

136:角落图案部

138、138A、138B:主干连接部

A1、A1’:第一区

A11’:中心部

A12’:凸出部

A2:第二区

A3:交界区

AA:配向区

AD:主动元件

B:交界

CE:共用电极层

CH:通道层

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