[发明专利]记忆单元及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆单元的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

在一基底上形成一穿隧介电层与一第一导体层；

在所述穿隧介电层与所述第一导体层的两侧分别形成一沟渠；

在所述沟渠中分别形成一绝缘层，所述绝缘层的表面低于所述第一导体层的表面，裸露出所述第一导体层的一第一侧壁；

进行一第一氧化工艺，以在所述第一导体层的表面与所述第一侧壁上形成一第一氧化层；

移除所述第一氧化层并移除部分所述绝缘层，以裸露出所述第一导体层的一第二侧壁，所述第二侧壁呈阶梯状；

进行一第二氧化工艺，以在所述第一导体层的表面与所述第二侧壁形成一第二氧化层；以及

在所述第二氧化层以及所述绝缘层上形成一第一介电层。

2.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法，其特征在于其中所述第一氧化工艺与所述第二氧化工艺包括湿式热氧化法。

3.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法，其特征在于其中所述湿式热氧化法包括快速热氧化法或现场水汽生成法。

4.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法，其特征在于其中在所述沟渠中分别形成所述绝缘层的方法包括：

在所述基底上形成一绝缘材料层，以填入所述沟渠中，并覆盖所述第一导体层；

进行一平坦化工艺，以移除所述第一导体层上的所述绝缘材料层，在所述沟渠中形成一绝缘层；以及

移除所述沟渠中部分的所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法，其特征在于其中移除所述第一氧化层并移除部分所述绝缘层的方法包括湿式蚀刻法或干式蚀刻法。

6.一种记忆单元，其特征在于其包括：

一第一导体层，位于一基底上，所述第一导体层的一侧壁呈阶梯状；

一穿隧介电层，位于所述第一导体层与所述基底之间；

一阶梯状氧化层，覆盖于所述第一导体层的表面与所述侧壁上；以及

一第一介电层，覆盖所述阶梯状氧化层。

7.根据权利要求6所述的记忆单元，其特征在于其中所述第一介电层呈阶梯状。

8.根据权利要求6所述的记忆单元，其特征在于其还包括：

一第二介电层，位于所述第一介电层上；以及

一第二导体层，位于所述第二介电层上，所述第二导体层覆盖所述第一导体层。

9.根据权利要求6所述的记忆单元，其特征在于其中所述第一导体层包括一上部、一中部以及一下部，所述上部的宽度小于所述中部的宽度，且所述中部的宽度小于所述下部的宽度。

10.根据权利要求9所述的记忆单元，其特征在于其中覆盖在所述上部与所述中部的交界处的所述阶梯状氧化层的厚度小于覆盖在所述上部的所述阶梯状氧化层的厚度，且小于覆盖在所述中部的所述阶梯状氧化层的厚度。