[发明专利]记忆单元及其制造方法在审
申请号: | 201510136298.3 | 申请日: | 2015-03-26 |
公开(公告)号: | CN104979361A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 马处铭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记忆 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种记忆单元的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
在一基底上形成一穿隧介电层与一第一导体层;
在所述穿隧介电层与所述第一导体层的两侧分别形成一沟渠;
在所述沟渠中分别形成一绝缘层,所述绝缘层的表面低于所述第一导体层的表面,裸露出所述第一导体层的一第一侧壁;
进行一第一氧化工艺,以在所述第一导体层的表面与所述第一侧壁上形成一第一氧化层;
移除所述第一氧化层并移除部分所述绝缘层,以裸露出所述第一导体层的一第二侧壁,所述第二侧壁呈阶梯状;
进行一第二氧化工艺,以在所述第一导体层的表面与所述第二侧壁形成一第二氧化层;以及
在所述第二氧化层以及所述绝缘层上形成一第一介电层。
2.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法,其特征在于其中所述第一氧化工艺与所述第二氧化工艺包括湿式热氧化法。
3.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法,其特征在于其中所述湿式热氧化法包括快速热氧化法或现场水汽生成法。
4.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法,其特征在于其中在所述沟渠中分别形成所述绝缘层的方法包括:
在所述基底上形成一绝缘材料层,以填入所述沟渠中,并覆盖所述第一导体层;
进行一平坦化工艺,以移除所述第一导体层上的所述绝缘材料层,在所述沟渠中形成一绝缘层;以及
移除所述沟渠中部分的所述绝缘层。
5.根据权利要求1所述的记忆单元的制造方法,其特征在于其中移除所述第一氧化层并移除部分所述绝缘层的方法包括湿式蚀刻法或干式蚀刻法。
6.一种记忆单元,其特征在于其包括:
一第一导体层,位于一基底上,所述第一导体层的一侧壁呈阶梯状;
一穿隧介电层,位于所述第一导体层与所述基底之间;
一阶梯状氧化层,覆盖于所述第一导体层的表面与所述侧壁上;以及
一第一介电层,覆盖所述阶梯状氧化层。
7.根据权利要求6所述的记忆单元,其特征在于其中所述第一介电层呈阶梯状。
8.根据权利要求6所述的记忆单元,其特征在于其还包括:
一第二介电层,位于所述第一介电层上;以及
一第二导体层,位于所述第二介电层上,所述第二导体层覆盖所述第一导体层。
9.根据权利要求6所述的记忆单元,其特征在于其中所述第一导体层包括一上部、一中部以及一下部,所述上部的宽度小于所述中部的宽度,且所述中部的宽度小于所述下部的宽度。
10.根据权利要求9所述的记忆单元,其特征在于其中覆盖在所述上部与所述中部的交界处的所述阶梯状氧化层的厚度小于覆盖在所述上部的所述阶梯状氧化层的厚度,且小于覆盖在所述中部的所述阶梯状氧化层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的