[发明专利]设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

彩膜基板12是薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的重要元件之一，其基本结构如图1所示，包括基板1、设置在基板1上的黑矩阵3和R/G/B色阻块2。由于黑矩阵3的遮光作用，很大程度上影响了彩膜基板12的开口率，致使其透过率较低。为了使显示器达到显示亮度要求，就需要提高背光的亮度，这会导致功耗增加。

发明内容

本发明提供一种设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置，能够有效提高透过率，从而降低显示器功耗。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种设置有黑矩阵的基板，所述黑矩阵迎向背光的一面为反射面，射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。

更优地，所述黑矩阵的反射面为凸面。

可选地，所述凸面的横截面为弧形。

可选地，所述凸面的横截面为梯形，或者倒V字形。

更优地，所述反射面的表面设置有增加反射的纳米结构。

可选地，所述反射面为金属材料制成。

可选地，所述黑矩阵包括：黑矩阵的主体部分，所述反射面设置在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面，所述黑矩阵的主体部分由吸光材料或金属材料制成。

本发明实施例还提供一种所述的基板的制造方法，包括：形成黑矩阵的工序，所述形成黑矩阵的工序中形成的黑矩阵迎向背光的一面为反射面，其中，所述反射面的作用是：使射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。

可选地，所述形成黑矩阵的工序，包括：沉积金属材料；涂覆光刻胶，进行曝光；进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵。

其中，所述涂覆光刻胶，进行曝光，具体为：涂覆光刻胶，并使用灰度掩膜板进行曝光，使显影后的光刻胶能形成如下图样：所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离。

所述进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵，包括：

S1、显影，形成如下光刻胶图样：所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离。

S2、进行刻蚀，去除未被光刻胶覆盖区域的金属材料。

S3、进行灰化处理，使所述黑矩阵预设区域边缘部分的金属材料暴露。

S4、对暴露出的金属材料进行浅刻蚀。

重复步骤S3、S4直到光刻胶被完全去除，形成上表面为凸面的黑矩阵。

可选地，所述形成黑矩阵的工序，包括：形成黑矩阵的主体部分；

在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面。

可选地，所述形成黑矩阵的主体部分，包括：沉积感光性材料；使用灰度掩膜板进行曝光；显影，形成上表面为凸面的黑矩阵的主体部分。

可选地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为：在掩膜板的遮挡下沉积金属材料，从而在所述黑矩阵的主体部分上形成反射面。

可选地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为：沉积金属材料并进行构图工艺，只在所述黑矩阵表面保留所述金属材料，从而形成反射面。

更优地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，之后还包括：对所述反射面进行微加工处理，在所述反射面上形成增加反光的纳米结构。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括有上述任一项的设置有黑矩阵的基板。

本发明实施例提供的设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置，将黑矩阵迎向背光的一面设置为反射面，从而，使射向黑矩阵的背光被反射面反射后能够重新被利用，取代现有技术中射向黑矩阵的背光被黑矩阵吸收的做法，可以提高显示亮度。设置有上述黑矩阵的显示装置，有较高的透过率，进而降低功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有彩膜基板的截面结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的设置有黑矩阵的基板的截面结构示意图；