[发明专利]设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种设置有黑矩阵的基板，其特征在于，所述黑矩阵迎向背光的一面为反射面，射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用，包括：部分背光被反射后向色阻块位置传播，直接穿出所述色阻块射出显示面板得到利用；部分背光被反射后转而向阵列基板方向传播，到达背光源的反射片处再次被反射，再次朝向彩膜基板方向传播进入液晶中，所述部分背光经过多次反射或折射最终被重新利用；所述黑矩阵的反射面为凸面，所述凸面的横截面为弧形或者所述凸面的横截面为梯形；

所述黑矩阵包括：黑矩阵的主体部分，所述反射面设置在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面，所述黑矩阵的主体部分和反射面为金属材料制成。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述反射面的表面设置有增加反射的纳米结构。

3.一种如权利要求1所述的基板的制造方法，包括：形成黑矩阵的工序，其特征在于，所述形成黑矩阵的工序中形成的黑矩阵迎向背光的一面为反射面，其中，所述反射面的作用是：使射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用，包括：部分背光被反射后向色阻块位置传播，直接穿出所述色阻块射出显示面板得到利用；部分背光被反射后转而向阵列基板方向传播，到达背光源的反射片处再次被反射，再次朝向彩膜基板方向传播进入液晶中，所述部分背光经过多次反射或折射最终被重新利用；

所述形成黑矩阵的工序，包括：沉积金属材料；涂覆光刻胶，进行曝光；进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵；所述涂覆光刻胶，进行曝光，具体为：涂覆光刻胶，并使用灰度掩膜板进行曝光，使显影后的光刻胶能形成如下图样：所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离；所述进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵，包括：S1、显影，形成如下光刻胶图样：所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离；S2、进行刻蚀，去除未被光刻胶覆盖区域的金属材料；S3、进行灰化处理，使所述黑矩阵预设区域边缘部分的金属材料暴露；S4、对暴露出的金属材料进行浅刻蚀；重复步骤S3、S4直到光刻胶被完全去除，形成上表面为凸面的黑矩阵；

或者，所述形成黑矩阵的工序，包括：形成黑矩阵的主体部分；在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面；在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为：在掩膜板的遮挡下沉积金属材料，从而在所述黑矩阵的主体部分上形成反射面。

4.根据权利要求3所述的基板的制造方法，其特征在于，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，之后还包括：

对所述反射面进行微加工处理，在所述反射面上形成增加反光的纳米结构。

5.一种显示装置，其特征在于，包括有权利要求1-2任一项所述的设置有黑矩阵的基板。