[发明专利]COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板

权利要求书

1.一种COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供阵列基板(1)与玻璃基板(2)；

所述阵列基板(1)包括红、绿、蓝色子像素区域，每一子像素区域包括基板(11)、设于所述基板(11)上的栅极(12)及扫描线、设于所述栅极(12)上覆盖所述基板(11)的栅极绝缘层(13)、设于所述栅极绝缘层(13)上且对应所述栅极(12)设置的半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上与所述半导体层(14)的两端相接触的源/漏极(16)、设于所述栅极绝缘层(13)上且在水平方向上与扫描线垂直交叉排列的信号线(15)、及设于所述源/漏极(16)上覆盖所述栅极绝缘层(13)的钝化层(17)；

步骤2、在所述钝化层(17)上形成色阻层(18)；

所述色阻层(18)对应所述红、绿、蓝色子像素区域分别形成红、绿、蓝色阻块，横向排列的相邻的两色阻块之间形成第一交接区域(83)，所述第一交接区域(83)位于所述信号线(15)上方，纵向排列的相邻的两色阻块之间形成第二交接区域，所述第二交接区域位于所述扫描线上方；

步骤3、在所述色阻层(18)上对应所述源/漏极(16)的上方形成第一过孔(81)，并在所述色阻层(18)上形成第一像素电极层(19)；

所述第一像素电极层(19)经由所述第一过孔(81)与所述源/漏极(16)相接触；

步骤4、在所述第一像素电极层(19)上形成平坦层(21)，并在所述平坦层(21)上形成第二过孔(82)；

步骤5、在所述平坦层(21)上沉积并图案化第二像素电极层(23)；

所述第二像素电极层(23)经由所述第二过孔(82)与所述第一像素电极层(19)相接触，所述第二像素电极层(23)包括分别位于各子像素区域的像素电极块，所述像素电极块的横向边界位于所述扫描线上方，纵向边界位于所述信号线(15)上方；

步骤6、在所述玻璃基板(2)上对应所述半导体层(14)的位置形成点状黑色矩阵(24)，并在所述黑色矩阵(24)上形成公共电极层(25)；

步骤7、将所述阵列基板(1)与玻璃基板(2)对组，并灌入液晶层(3)。

2.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2采用涂布制程形成所述色阻层(18)。

3.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤4通过曝光制程形成所述第二过孔(82)，所述平坦层(21)为透明有机材料。

4.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用物理气相沉积法形成所述第二像素电极层(23)。

5.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极层(19)、第二像素电极层(23)、及公共电极层(25)的材料均为氧化铟锡。