[发明专利]一种带表面钝化工艺的GaN、HEMT的制作方法

权利要求书

1.一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用ICP设备对GaN晶圆表面进行N₂等离子体处理；使用PECVD设备生长SiN钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：SiN钝化过程中，如果没有有效的表面处理，则很容易引起器件表面缺陷，而在SiN钝化之前使用H₂，NH₃等离子体预处理会产生H自由基扩散进入GaN结构影响Ga-N键，在GaN表面生成N空穴或Ga-H键，这些H自由基引起的GaN器件性能衰退。因此不含H离子的纯N₂等离子体处理可以得到更好的GaN表面特性。

3.根据权利要求1所述的一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：源漏欧姆接触是使用正胶MIR-701进行涂胶显影，使用ICP-RIE设备进行干法刻蚀，使用电子束蒸发Ti/Al/Ni/Au制备源漏金属；使用化学收缩法制备T型栅，栅金属为Ni/Au金属。所述栅漏距离、栅源距离、栅长分别为15μm、3μm、2μm。

4.根据权利要求1所述的一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：所述N₂等离子体钝化预处理是使用ICP设备，通过控制电极功率、N₂气体流量，产生N₂等离子体处理。

5.根据权利要求1所述的一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：N₂等离子体钝化处理之后，采用PECVD设备，反应气体为NH₃、SiH₄和N₂，在源漏电极的表面及AlGaN势垒层的表面淀积钝化层，所述的钝化层的材料为SiN，厚度为20nm。