[发明专利]微机电系统设备及其制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统设备，具有：

基板；

功能元件，其直接或经由第1绝缘膜而被设置于所述基板的表面上，并具有连接电极；

构造体，其被设置于所述基板或者所述第1绝缘膜的表面上，并在所述功能元件的周围形成空腔；

第2绝缘膜，其被设置于所述连接电极的第1面上的规定的区域的周围；

第1盖部，其包括在所述连接电极的第1面上覆盖所述第2绝缘膜的第3绝缘膜，且所述第1盖部上设置有开口，并覆盖所述空腔的一部分；

第2盖部，其被设置在所述第1盖部的表面上，并包括与所述连接电极的该规定的区域电连接的第1导电体、和将所述第1盖部的开口封闭的封闭部；

第4绝缘膜，其被设置于所述第2盖部的表面上，并与所述第2绝缘膜或者第3绝缘膜相接而使所述第1导电体与所述封闭部绝缘；

第2导电体，其贯穿所述第4绝缘膜而与所述第1导电体电连接，

所述第1盖部还包括导电体膜，

形成在所述第1盖部上的开口被形成为，形成在所述第3绝缘膜上的开口大于形成在所述导电体膜上的开口。

2.根据权利要求1所述的微机电系统设备，其中，

所述第4绝缘膜贯穿所述第2盖部以及所述第3绝缘膜而与所述第2绝缘膜相接。

3.根据权利要求1或2所述的微机电系统设备，其中，

所述基板为设置有半导体电路元件的半导体基板，且设置有至少贯穿所述第4绝缘膜而与所述半导体电路元件电连接的连接插头，

与所述第1导电体电连接的第2导电体由与所述连接插头相同的材料形成。

4.根据权利要求3所述的微机电系统设备，其中，

所述空腔被形成在所述半导体基板的沟槽内。

5.根据权利要求1或2所述的微机电系统设备，其中，

所述第2绝缘膜以及第4绝缘膜由二氧化硅形成，

所述第3绝缘膜由氮化硅形成，

所述第2盖部由铝形成。

6.根据权利要求3所述微机电系统设备，其中，

所述第2绝缘膜以及第4绝缘膜由二氧化硅形成，

所述第3绝缘膜由氮化硅形成，

所述第2盖部由铝形成。

7.根据权利要求4所述微机电系统设备，其中，

所述第2绝缘膜以及第4绝缘膜由二氧化硅形成，

所述第3绝缘膜由氮化硅形成，

所述第2盖部由铝形成。

8.根据权利要求3所述的微机电系统设备，其中，

所述连接插头由钨形成。

9.一种微机电系统设备的制造方法，具有如下工序：

在基板的表面上，直接或者经由第1绝缘膜而形成具有连接电极的功能元件、以及构造体的工序(a)，其中，所述构造体在所述功能元件的周围形成空腔；

在所述连接电极的第1面上的规定的区域的周围以及所述空腔内形成第2绝缘膜的工序(b)；

形成第1盖部的工序(c)，其中，所述第1盖部包括在所述连接电极的第1面上覆盖所述第2绝缘膜的第3绝缘膜，且所述第1盖部上形成有开口并且覆盖所述空腔的一部分；

通过脱模蚀刻来去除所述空腔内的所述第2绝缘膜的工序(d)；

在真空腔室内，在所述第1盖部的表面上形成第2盖部的工序(e)，其中，所述第2盖部包括与所述连接电极的该规定的区域电连接的第1导电体、和将所述第1盖部的开口封闭的封闭部；

在所述第2盖部的表面上形成第4绝缘膜的工序(f)，其中，所述第4绝缘膜与所述第2绝缘膜或者第3绝缘膜相接而使所述第1导电体与所述封闭部绝缘；

形成贯穿所述第4绝缘膜而与所述第1导电体电连接的第2导电体的工序(g)。

10.根据权利要求9所述的微机电系统设备的制造方法，其中，

工序(c)包括形成所述第1盖部的开口的步骤，所述第1盖部包括所述第3绝缘膜及导电体膜，并且所述第1盖部的开口被形成为，形成在所述第3绝缘膜上的开口大于形成在所述导电体膜上的开口。

11.根据权利要求9或10所述的微机电系统设备的制造方法，其中，

工序(b)包括利用二氧化硅而形成所述第2绝缘膜的步骤，

工序(c)包括利用氮化硅而形成所述第3绝缘膜的步骤；

工序(e)包括利用铝而形成所述第2盖部的步骤，

工序(f)包括利用二氧化硅而形成所述第4绝缘膜的步骤。