[发明专利]MEMS电容式相对湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS电容式相对湿度传感器，包括具有正面和背面的衬底、设置于所述衬底正面的电容下极板及设置在所述电容下极板上方的电容上极板，其特征在于：还包括支撑所述电容上极板的绝缘支撑体和淀积在电容下极板上的湿度敏感层，所述电容上极板位于所述湿度敏感层上方，且电容上极板与湿度敏感层之间形成有空气间隙，所述电容上极板上开设有若干将所述空气间隙与外部连通的通孔，所述MEMS电容式相对湿度传感器还包括设置在所述绝缘支撑体上的钝化总层，所述钝化总层包裹所述电容上极板，所述电容下极板为多晶硅电极，该多晶硅电极作为加热电阻。

2.根据权利要求1所述的MEMS电容式相对湿度传感器，其特征在于：所述钝化总层包括设置在绝缘支撑体上的第一钝化层和设置在第一钝化层上的第二钝化层，所述电容上极板夹持在第一钝化层和第二钝化层之间。

3.根据权利要求1所述的MEMS电容式相对湿度传感器，其特征在于：所述衬底正面与电容下极板之间设置有第一绝缘层。

4.根据权利要求1所述的MEMS电容式相对湿度传感器，其特征在于：所述电容下极板为多晶硅电极，所述多晶硅电极具有电阻引出端，所述电容上极板为铝电极，所述铝电极具有电极引出端。

5.根据权利要求1所述的MEMS电容式相对湿度传感器，其特征在于：所述绝缘支撑体设置在湿度敏感层的外侧。

6.一种MEMS电容式相对湿度传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：提供具有正面和背面的衬底；

S2：在所述衬底的正面形成电容下极板，所形成的电容下极板具有电阻引出端；

S3：在所述电容下极板上形成湿度敏感层；

S4：淀积形成绝缘层，光刻并刻蚀露出电容下极板的电阻引出端，所述绝缘层的正投影面积大于所述湿度敏感层的正投影面积，且所述绝缘层将所述湿度敏感层覆盖；

S5：在绝缘层上形成电容上极板，光刻并刻蚀形成电容上极板和电容下极板的电阻引出端，及在电容上极板上光刻并刻蚀形成若干通孔，所形成的电容上极板具有电极引出端，所述电容上极板位于所述湿度敏感层的正上方；

S6：旋涂一层光刻胶，光刻露出湿度敏感层上方的通孔，利用化学试剂沿通孔腐蚀电容上极板与湿度敏感层之间的绝缘层，去除光刻胶。

7.根据权利要求6所述的MEMS电容式相对湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述电容下极板为多晶硅电极，所述电容上极板为铝电极，所述步骤S4和步骤S5之间还包括：在所述绝缘层上形成第一钝化层，光刻并刻蚀露出电容下极板的电阻引出端；在所述步骤S5中，所述电容上极板形成在第一钝化层上；所述步骤S5和步骤S6之间还包括：在所述电容上极板上形成第二钝化层，光刻并刻蚀露出电容上极板的通孔所对应的氧化层和电极引出端，电容上极板的通孔的侧壁上的第二钝化层保留；在所述步骤S6中，所述光刻胶旋涂在第二钝化层上。

8.根据权利要求6所述的MEMS电容式相对湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1还包括，在所述衬底的正面上生长一层氧化层以形成第一绝缘层；在所述步骤S2中，所述电容下极板形成在第一绝缘层上。

9.根据权利要求6所述的MEMS电容式相对湿度传感器的制备方法，其特征在于：在所述步骤S3中，所述电容下极板未全覆盖第一绝缘层。