[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

与第一导电类型的漏区成对的所述第一导电类型的源区，所述源区和所述漏区形成在所述半导体衬底的主面的上方；

分离绝缘膜，其嵌入于在所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底的所述主面的上方所形成的隔离沟槽中；

栅绝缘膜，其形成在所述分离绝缘膜和所述源区之间的所述半导体衬底的上方；

栅电极，在所述源区和所述漏区之间，以直接在所述栅绝缘膜之上并且直接在所述分离绝缘膜之上延伸的方式形成该栅电极；

所述第一导电类型的漂移区，其形成在所述分离绝缘膜下方的所述半导体衬底中，所述漂移区的一个边缘直接位于所述栅绝缘膜下方；以及

沟槽，其形成在所述分离绝缘膜的上表面的上方，所述沟槽使所述栅电极部分地嵌入其内；

其中，所述栅电极和所述漏区之间的间隔比所述栅电极和所述源区之间的间隔长；

其中，所述沟槽被定位成远离所述分离绝缘膜在所述源区侧上的边缘，所述沟槽还被定位成对于源侧而远离所述栅电极在所述漏区侧上的边缘，以及

其中，所述沟槽的底部被定位于所述分离绝缘膜的深度的中途。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述沟槽的深度是所述分离绝缘膜的厚度的至少三分之一，以及

其中，在所述沟槽的底部和直接在所述沟槽下方的所述半导体衬底之间的距离大于所述栅绝缘膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述分离绝缘膜在所述源区侧上的边缘和所述沟槽之间的距离大于所述栅绝缘膜的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述分离绝缘膜的上表面的上方形成多个所述沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述分离绝缘膜具有由多个层叠绝缘膜制成的结构，以及

其中，所述沟槽达到所述层叠绝缘膜的最底部。