[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种隔离型NLDMOS器件，其特征是,包括：

P型衬底上部的相邻N阱和P阱，P阱位于N型深阱中，N型深阱一侧边缘位于N阱与P阱相邻一侧弧形侧边的下方，P阱上部顺序设置有第一P型重掺杂区、第一场氧和第二P型重掺杂区，N阱上部设置有第二场氧和N型重掺杂区，栅氧化层位于P阱和N阱上方第二P型重掺杂区和第二场氧之间，栅极多晶硅位于栅氧化层和部分第二场氧上方，第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型重掺杂区分别通过接触孔引出连接引线。

2.如权利要求1所述隔离型NLDMOS器件，其特征是：N阱掺杂剂量为5¹²cm^-2至3¹³cm^-2。

3.如权利要求1所述隔离型NLDMOS器件，其特征是：第一、第二P型重掺杂区掺杂剂量为1¹⁵cm^-2至3¹⁵cm^-2。

4.如权利要求1所述隔离型NLDMOS器件，其特征是：N型重掺杂区掺杂剂量为1¹⁵cm^-2至3¹⁵cm^-2。

5.如权利要求1所述隔离型NLDMOS器件，其特征是：P阱掺杂剂量为1¹²cm^-2至2¹³cm^-2。

6.如权利要求1所述隔离型NLDMOS器件，其特征是：N型深阱掺杂剂量1¹²cm^-2至2¹³cm^-2。

7.一种隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是,包括以下步骤：

1)在P型衬底上通过N型离子注入形成N型深阱；

2)在N型深阱上通过刻蚀形成第一场氧，在P型衬底上通过刻蚀形成第二场氧；

3)在N型深阱中注入P型离子形成P阱，在P型衬底中注入N型离子形成N阱，使P阱和N阱相邻，并且N型深阱一侧边缘位于N阱与P阱相邻一侧弧形侧边的下方；

4)通过热氧化方法生长栅氧化层；

5)淀积多晶硅，形成刻蚀多晶硅栅；

6)在第一场氧两侧重掺杂注入P型离子形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；

7)在第二场氧远离第一场氧一侧的N阱中重掺杂注入N型离子形成N型重掺杂区；

8)将第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型重掺杂区分别通过接触孔引出连接引线。

8.如权利要求3所述隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是：制作第一、第二P型重掺杂区掺杂剂量为1¹⁵cm^-2至3¹⁵cm^-2。

9.如权利要求3所述隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是：制作N型重掺杂区掺杂剂量为1¹⁵cm^-2至3¹⁵cm^-2。

10.如权利要求3所述隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是：制作P阱掺杂剂量为1¹²cm^-2至2¹³cm^-2。

11.如权利要求3所述隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是：制作N型深阱掺杂剂量1¹²cm^-2至2¹³cm^-2。

12.如权利要求3所述隔离型NLDMOS器件的制造方法，其特征是：制作N阱掺杂剂量为5¹²cm^-2至3¹³cm^-2。