[发明专利]一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法有效

专利信息
申请号: 201510065350.0 申请日: 2015-02-06
公开(公告)号: CN104726844B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 郝云彩;余成武;梁士通;朱宏伟;梅志武;李兆光;孟宪刚;戴舒颖;张瀚文 申请(专利权)人: 北京控制工程研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02
代理公司: 中国航天科技专利中心11009 代理人: 陈鹏
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 钛合金 基底 生长 超强 光吸收 纳米 涂层 方法
【权利要求书】:

1.一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)采用打磨方式对钛合金样件表面进行毛化处理,使得经过打磨的钛合金样件表面具有划痕;

(2)对经过打磨的钛合金样件进行清洗,去除有机污染物;

(3)将钛合金样件放入烘干箱烘干;

(4)将钛合金样件从烘干箱取出,冷却后用清水对钛合金样件进行清洗;

(5)再次将钛合金样件放入烘干箱烘干;

(6)对钛合金样件进行电化学反应处理,使得钛合金样件的表面形成微观刻镂微纳米结构;或者在钛合金样件的表面镀上铝镍双金属中间缓冲层;

(7)将步骤(6)处理过的钛合金样件置入碳纳米管反应炉中;

(8)往碳纳米管反应炉中通入氩气,同时碳纳米管反应炉开始加热至碳纳米管生长所需温度;

(9)当氩气充满碳纳米管反应炉后,调整氩气流量到1000~2000mL/min,同时通入300~500mL/min的氢气;

(10)当氢气流量稳定并充满碳纳米管反应炉后,按照预定的反应速度向碳纳米管反应炉内通入气态碳源或引入雾状液态碳源;

(11)根据碳纳米管阵列所需长度设定反应时间,反应完毕后,切断氢气,停止加热,并调小氩气的流量至100mL/min~150mL/min,待冷却至室温后取出钛合金样件;

(12)如果步骤(6)中是对钛合金样件的表面镀上铝镍双金属中间缓冲层,则碳纳米管涂层制作完成;如果步骤(6)中是对钛合金样件进行电化学反应处理,则将得到的钛合金样件放入高温炉中,快速升温至880℃~920℃,持续1分钟至10分钟,而后高温炉降温,取出钛合金样件,由此完成碳纳米管涂层的制作。

2.根据权利要求1所述的一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法,其特征在于:所述步骤(6)中采用电化学反应处理形成微观刻镂微纳米结构的方法为:采用电化学反应处理工艺对钛合金样件进行表面处理,去除掉表面的部分金属,使得残留的部分在表面上呈现出微细毛化结构。

3.根据权利要求1所述的一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法,其特征在于:所述步骤(6)中在钛合金样件的表面镀上铝镍双金属中间缓冲层的方法为:首先在钛合金样件表面蒸镀或溅射沉积厚度3~10nm的铝镍双金属,然后进行预热处理,使得双金属中间缓冲层转变为氧化物涂层和金属纳米颗粒双层结构,预热温度范围400℃~600℃。

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