[发明专利]复合电路元件的布局有效
申请号: | 201510062364.7 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN104835815B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | F·普切尔;C·G·莱登 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 电路 元件 布局 | ||
本发明涉及复合电路元件的布局。公开了比例电平电路元件(诸如,晶体管)的物理布局。这些布局可以在存在施加到集成电路(诸如,封装在塑料中的集成电路)的机械应力的情况下保持比例电平电路元件相对于彼此的电气特性。比例电平电路元件可以包括由第一组和第二组电路元件形成的第一和第二复合电路元件,所述第一组和第二组电路元件分别围绕中心点设置。第一组电路元件可以布置在栅格上,以及第二组电路元件可以包括与中心点间隔距离近似相等的四个电路元件。第二组中的每个电路元件可在至少一个维度上是离开栅格的。在一些实施例中,第一和第二组电路元件可以被布置成围绕虚拟电路元件的周边。
相关申请的交叉引用
本申请是在美国的35U.S.C.§119(e)于2014年2月7日提交的、标题为“LAYOUT OFCOMPOSITE CIRCUIT ELEMENTS”的临时申请61/937,094并请求其权益,其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
所公开的技术涉及到电子,并且更具体地,涉及在集成电路上的电路元件的物理布局。
背景技术
集成电路可以被封装在模塑化合物(诸如,塑料)中。显著应力可通过集成电路的封装被施加到集成电路的电子电路。该应力可由于例如温度和/或湿度发生变化。因此,校准以除去封装后的误差可无法充分补偿由于电子电路的工作条件导致的应力。施加到电子电路的应力可影响电气特性和/或电子电路的性能。但是,用于补偿由集成电路的封装应用于电子电路的机械应力的之前尝试并没有完全补偿这种应力。
因此,有必要在存在施加到集成电路的应力的情况下改进电子电路的性能。
发明内容
本公开的一个方面是一种装置,包括:在集成电路上的第一组电路元件,和在同一集成电路上的第二组电路元件。第一组电路元件被布置在围绕中心点的二维栅格。第一组电路元件被配置为用作具有第一区域的第一复合电路元件。第二组电路元件被布置围绕同一中心点。第二组电路元件被配置为具有第二区域的第二复合电路元件。所述第二组电路元件包括从中心点间隔近似相同距离的四个电路元件。第二组电路元件中的四个电路元件的每个在至少一个维度是离开栅格的。在包括第一组电路元件和第二组电路元件的相同集成电路上的电路被配置成基于所述第一区域到所述第二区域的比率操作,其中,第一区域比第二区域至少大2倍。
本公开的另一个方面是在单个集成电路上包括晶体管结构的装置。晶体管的装置包括第一组晶体管、第二组晶体管和一个或多个虚设晶体管。第一组晶体管被布置成围绕中心点并配置为用作具有第一区域的第一复合晶体管。第二组晶体管布置围绕同一中心点并配置为用作具有第二区域的第二复合晶体管。第一区域至少两倍于第二区域。第一和第二组晶体管被布置成围绕所述一个或多个虚设晶体管的整个周边。
但本公开的另一个方面是一种形成集成电路的方法。该方法包括:在布置围绕中心点的集成电路上形成第一组晶体管,其中第一组晶体管被配置为用作具有第一区域的第一复合晶体管。该方法进一步包括:在围绕同一中心点电路布置的相同集成电路上形成第二组晶体管,其中第二组的四个晶体管近似与中心点的距离相同。第二组晶体管被配置为用作具有第二区域的第二复合晶体管,并且所述第一区域至少近似比所述第二区域大2倍。该方法进一步包括:在同一集成电路上的交叉图案中形成虚设晶体管。围绕虚设晶体管的周边形成第一和第二组晶体管,以及虚设晶体管中的一个被布置在第一和第二组晶体管的排列的中心点上。
为了总结本发明,已在本文中描述发明的某些方面、优点和的新颖性特征。但是应该理解,不一定所有这些优点可以按照任何本发明的特定实施例来实现。因此,本发明可以实现或优化本文所教导一个优点或一组优点的方式实施或执行,而不一定实现如本文可教导或所建议的其他优点。
附图说明
图1是集成电路封装的一部分的示意性侧剖视图,其中,成型材料向集成电路管芯适用空间上改变的力。
图2是示例性带隙基准电路的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的