[发明专利]红光LED倒装芯片的制作方法

权利要求书

1.一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；

步骤2：在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；

步骤3：在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；

步骤4：将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；

步骤5：在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；

步骤6：在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；

步骤7：将基片进行封胶，完成制备。

2.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述红光LED垂直结构芯片包括一N电极、一发光体和一P电极。

3.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述基板是高阻硅、陶瓷或PCB材料。

4.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中基板1上下电极金属的厚度为1-4μm。

5.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述固晶工艺是直接固晶、倒装焊工艺或共晶焊工艺。

6.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅或氧化钛的绝缘膜，绝缘层的厚度为0.2-2μm。

7.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述导电电极的材料为Au、Al、Ag或Pt，或Au、Al、Ag、Pt与Ti、Cr、Ni的合金，导电电极的厚度为1-4μm。

8.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述在两个通孔的侧壁制备金属的材料为Au、Al、Ag或Pt，或Au、Al、Ag、Pt与Ti、Cr、Ni的合金，其厚度为1-4μm。

9.根据权利要求1所述的红光LED倒装芯片的制作方法，其中所述两个通孔上下面的金属电极的材料为Au、Al、Ag或Pt，或Au、Al、Ag、Pt与Ti、Cr、Ni的合金，其厚度为1-4μm。