[发明专利]功率集成器件、包括其的电子器件和包括其的电子系统

说明书

一种功率集成器件包括衬底上的栅电极、在栅电极的两个相对侧设置在衬底中的源极区和漏极区、在栅电极与漏极区之间设置在衬底中以与源极区间隔开的漂移区、以及设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带的多个绝缘条带。还提出了相关的电子器件以及相关的电子系统。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0080091号的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

各种实施例涉及集成电路，并且更具体而言涉及功率集成器件、包括其的电子器件和包括其的电子系统。

背景技术

在智能型功率器件中可使用执行控制器和驱动器二者功能的集成电路。功率器件可包括可在数十伏特范围内的高电压下操作的MOS晶体管。智能型功率器件可具有设计成包括功率集成器件的输出电路，所述功率集成器件诸如在高电压下操作的横向双扩散MOS(LDMOS)晶体管。

发明内容

各种实施例针对功率集成器件、包括其的电子器件以及包括其的电子系统。

根据一个实施例，一种功率集成器件包括：衬底上的栅电极、在栅电极的两个相对侧设置在衬底中的源极区和漏极区、在栅电极与漏极区之间设置在衬底中以与源极区间隔开的漂移区、以及设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带的多个绝缘条带。

根据另一个实施例，一种功率集成器件包括：具有第一导电类型的漂移区和具有第二导电类型的主体区，设置在具有第二导电类型的衬底中；具有第一导电类型的源极区，设置在主体区的上部区域中；栅电极，设置在源极区与漂移区之间的主体区的顶表面上；具有第一导电类型的漏极区，设置在漂移区的上部区域中以与栅电极间隔开；以及多个绝缘条带，设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带。所述至少一个有源条带被限定为与漏极区平行。

根据另一个实施例，一种功率集成器件包括：具有第一导电类型的漂移区和具有第二导电类型的主体区，设置在具有第二导电类型的衬底中；具有第二导电类型的顶部区，设置在漂移区的上部区域中；具有第一导电类型的源极区，设置在主体区的上部区域中；栅电极，设置在源极区与漂移区之间的主体区的顶表面上；具有第一导电类型的漏极区，设置在漂移区的上部区域中以与栅电极间隔开；以及多个绝缘条带，设置在顶部区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带。所述至少一个有源条带被限定为与漏极区平行。

根据另一个实施例，一种电子器件包括：适于响应于输入信号而产生输出信号的高电压集成电路、以及适于根据高电压集成电路的输出信号来执行开关操作的功率集成器件。所述功率集成器件包括：衬底上的栅电极、在栅电极的两个相对侧设置在衬底中的源极区和漏极区、在栅电极与漏极区之间设置在衬底中以与源极区间隔开的漂移区、以及设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带的多个绝缘条带。

根据另一个实施例，一种电子器件包括：适于响应于输入信号而产生输出信号的高电压集成电路，以及适于根据高电压集成电路的输出信号来执行开关操作的功率集成器件。所述功率集成器件包括：具有第一导电类型的漂移区以及具有第二导电类型的主体区，设置在具有第二导电类型的衬底中；具有第一导电类型的源极区，设置在主体区的上部区域中；栅电极，设置在源极区与漂移区之间的主体区的顶表面上；具有第一导电类型的漏极区，设置在漂移区的上部区域中以与栅电极间隔开；以及多个绝缘条带，设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带。所述至少一个有源条带被限定为与漏极区平行。