[发明专利]功率集成器件、包括其的电子器件和包括其的电子系统

权利要求书

1.一种功率集成器件，包括：

衬底之上的栅电极；

源极区和漏极区，在所述栅电极的两个相对侧设置在所述衬底中；

漂移区，在所述栅电极与所述漏极区之间设置在所述衬底中，以与所述源极区间隔开；

多个绝缘条带，设置在所述漂移区的上部区域中，在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带；以及

顶部区，设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述漏极区的侧壁相邻。

2.如权利要求1所述的功率集成器件，

其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸；以及

其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。

3.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区延伸，以及

其中所述多个绝缘条带平行于所述漏极区延伸。

4.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极延伸，以及

其中所述多个绝缘条带平行于所述栅电极延伸。

5.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带彼此平行。

6.如权利要求1所述的功率集成器件，

其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸，以及

其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极。

7.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带包括彼此间隔开的沟槽隔离层。

8.如权利要求1所述的功率集成器件，

其中所述漂移区包括具有第一导电性的第二漂移区；以及

其中所述漏极区设置在所述第二漂移区的上部区域中、具有所述第一导电性、并且具有比所述第二漂移区的杂质浓度更高的杂质浓度。

9.如权利要求8所述的功率集成器件，其中所述漂移区还包括具有第一导电性的第一漂移区，以及

其中所述第一漂移区包围所述第二漂移区。

10.如权利要求8所述的功率集成器件，其中所述顶部区具有与所述第一导电性相反的第二导电性。

11.如权利要求10所述的功率集成器件，

其中所述顶部区被形成为比所述第二漂移区更浅；以及

其中所述顶部区横向地延伸到与所述栅电极相邻的衬底中。

12.如权利要求10所述的功率集成器件，其中所述第二漂移区包围所述顶部区的所有侧壁以及底表面。

13.如权利要求10所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带中的至少一个设置在所述顶部区中。

14.如权利要求10所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带包括比所述顶部区更浅的沟槽隔离层。

15.如权利要求10所述的功率集成器件，其中所述第一导电性是N型导电性，所述第二导电性是P型导电性。

16.如权利要求10所述的功率集成器件，其中所述第一导电性是P型导电性，所述第二导电性是N型导电性。

17.如权利要求1所述的功率集成器件，还包括包围所述源极区的主体区，

其中所述主体区具有与所述源极区相反的导电性。

18.如权利要求17所述的功率集成器件，其中所述主体区的位于所述源极区与所述漂移区之间的上部区域用作沟道区。