[发明专利]用于保持晶片的容纳装置及用于将晶片对齐的装置和方法

权利要求书

1.用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：

-保持面（1o），

-用于将晶片保持在保持面（1o）处的保持装置，和

-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的全局变形进行主动的、局部可控制的、至少部分的补偿。

2.根据权利要求1所述的容纳装置，其中通过补偿装置（3，4，5，6）能够局部地影响保持面（1o）的温度。

3.根据上述权利要求之一所述的容纳装置，其中通过补偿装置（3，4，5，6）能够局部地影响保持面（1o）的伸长，尤其是通过在保持面（1o）的背面（1r）处布置优选单独可操控的压电元件（4）。

4.根据前述权利要求之一所述的容纳装置，其特征在于，通过所述补偿装置（3，4，5，6）、尤其是通过在Z方向上的优选机械作用能够局部地影响保持面（1o）的形状。

5.根据上述权利要求之一所述的容纳装置，其中能够从保持面（1o）的背面（1r）通过补偿装置（3，4，5，6）局部地、尤其是液动和/或气动地向保持面（1o）施加压力。

6.根据上述权利要求之一所述的容纳装置，其中将补偿装置（3，4，5，6）设置为在容纳装置中的多个有源控制元件（3，4，5，6），尤其是集成、优选嵌入在保持面（1o）中。

7.根据权利要求6所述的容纳装置，其中能够单独地操控每个控制元件（3，4，5，6）或控制元件（3，4，5，6）组。

8.用于将第一晶片与第二晶片对齐的装置，具有下面的特征：

-用于以具有变形矢量的矢量场的形式确定局部对齐误差的装置，所述局部对齐误差是由于第一晶片相对于第二晶片的伸长和/或变形而出现的，

－至少一个根据上述权利要求之一所述的用于容纳至少一个晶片的容纳装置，和

－用于在考虑矢量场以及同时通过补偿装置的补偿的情况下对齐晶片的对齐装置。

9.用于将第一晶片与第二晶片对齐的方法，具有下面的步骤，尤其是按照下面的顺序：

－检测第一晶片的具有变形矢量的矢量场和/或第二晶片的具有变形矢量的矢量场并且通过分析装置分析矢量场并且求得局部对齐误差，

－将至少一个晶片容纳到根据权利要求1至7之一所述的容纳装置中，并且

－在考虑矢量场以及同时通过补偿装置的补偿的情况下对齐晶片。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在对齐之后设置对第一和/或第二晶片的矢量场的检测，尤其是再次的检测。