[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

一种电子器件包括半导体存储器。所述半导体存储器包括：在第一方向延伸的第一线；在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线；绝缘图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的第一交点处；以及可变电阻图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的第二交点处。中心交点由所述第一线和第二线中的相应中心线限定，并且中心交点对应于坐标(0,0)。第一交点位于第一虚拟线至第n+1虚拟线上，所述第n+1虚拟线具有多边形形状，在其中顶点对应于坐标(‑(k‑n),0)、(k‑n,0)、(0,k‑n)和(0,‑(k‑n))，其中k是自然数且n是在0至k‑1范围内的整数。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年8月11日提交的申请号为10-2014-0103419、题目为“电子器件及其制造方法”的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本专利文档涉及存储电路或器件以及它们在电子器件或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子器件或装置朝着小型化、低功耗、高性能和多功能性等的方向发展，需要能够在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子器件或装置中储存信息的电子器件，并且已经对这样的电子器件进行了研究和开发。这样的电子器件的示例包括可以利用根据施加的电压或电流在不同电阻状态之间进行切换的特性来储存数据且可以通过各种配置实现的电子器件，例如：阻变随机存取存储(RRAM)器件、相变随机存取存储(PRAM)器件、铁电随机存取存储(FRAM)器件、磁性随机存取存储(MRAM)器件、电熔丝等。

发明内容

本专利文件中公开的技术包括存储电路或器件、它们在电子器件或系统中的应用以及电子器件的各种实现方式，其中，电子器件可以通过控制具有交叉点结构的单元阵列中的潜行电流来改善其性能特性并且可以增加单元阵列的大小。

在一个实施例中，一种电子器件包括半导体存储器单元，所述半导体存储器单元包括：在第一方向延伸的第一线；在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线；绝缘图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第一交点处；以及可变电阻图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第二交点处；其中，当由所述第一线中的中心第一线和所述第二线中的中心第二线限定的中心交点对应于坐标(0,0)时，所述第一交点位于第一虚拟线至第n+1虚拟线上，所述第n+1虚拟线具有多边形形状，在其中顶点对应于坐标(-(k-n),0)、(k-n,0)、(0,k-n)和(0,-(k-n))，其中k是自然数且n是在0至k-1范围内的整数。

上述器件的实施例可以包括以下内容中的一个或更多个。

所述可变电阻图案的横截面形状和平面形状分别与所述绝缘图案的横截面形状和平面形状基本相同。所述绝缘图案还包括与所述可变电阻图案相比较造成可变电阻特性丧失的杂质。所述绝缘图案包括满足化学计量比的金属氧化物，并且所述可变电阻图案与所述绝缘图案相比较缺少氧。所述半导体存储器单元还包括：绝缘层，其填充在所述绝缘图案和所述可变电阻图案之间的空间中，并且所述绝缘图案和所述绝缘层包括相同的绝缘材料。所述第一线的数目是2k+1，并且所述第二线的数目是2k+1。所述可变电阻图案中的第一可变电阻图案用作虚设存储单元，以及所述第一可变电阻图案耦接到：与位于所述第一虚拟线至第n+1虚拟线的顶点处的绝缘图案耦接的第一线和第二线。所述第一线的数目是2k+2，以及所述第二线的数目是2k+2，以及，其中所述中心第一线的数目是2，且所述中心第二线的数目是2。当n等于或大于1时，所述可变电阻图案的第一可变电阻图案用作虚设存储单元，且所述第一可变电阻图案耦接到：与位于所述第一虚拟线至所述第n虚拟线的顶点处的绝缘图案耦接的第一线和第二线。