[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，其不会使抗弯强度恶化并且能够形成较厚的厚度的芯片。在晶片上设定有交叉的多条分割预定线，晶片的加工方法的特征在于具备：槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线形成未达到完工厚度的深度的多个槽；保护带粘贴步骤，在晶片的正面粘贴保护带；激光加工步骤，将透过晶片的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部的比完工厚度靠背面侧的位置，朝向晶片的背面沿着分割预定线照射激光束，在晶片内部形成沿着分割预定线的变质层，并且形成从变质层朝向槽延伸的沿着分割预定线的裂纹层；和磨削步骤，利用磨削构件对晶片的背面进行磨削以使晶片变薄至完工厚度，并且，去除变质层，沿着分割预定线将晶片分割为芯片。

技术领域

本发明涉及半导体晶片等晶片的加工方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面上，在通过形成为格子状的分割预定线(间隔道)划分出的多个区域中分别形成IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(large scale integration：大规模集成电路)等器件，并沿着分割预定线分割形成有该器件的各区域，由此制造出器件芯片。

作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的分割装置，一般采用了被称作切割装置的切削装置，该切削装置利用具有非常薄的切削刃的切削刀具沿着分割预定线对半导体晶片进行切削，将半导体晶片分割为一个个器件芯片。像这样分割出的器件芯片被封装后被广泛应用于手机、电脑等各种电子设备。

可是，当使用切削刀具切割例如厚度为300μm以上等厚度较厚的晶片时，存在经常出现背面崩碎这样的问题。因此，为了抑制背面崩碎，可以考虑采用例如日本特开昭64-38209号公报中公开的先划出减薄法(DBG：Dicing Before Grinding)和WO2003-077295号公报中公开的加工方法(SDBG:Stealth Dicing Before Grinding)。

先划出减薄法是下述这样的技术：从半导体晶片的正面沿着分割预定线形成规定的深度(与器件芯片的完工厚度相当的深度)的分割槽，并对在正面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削而使分割槽在背面露出，由此分割为一个个器件芯片，该先划出减薄法能够将器件芯片的厚度加工至100μm以下。

另一方面，SDBG法是将激光加工方法和磨削方法组合在一起的技术，并且是下述这样的技术：首先，向晶片照射对晶片具有透射性的波长的激光束，沿着分割预定线在规定的深度的位置(和晶片的正面距离与器件芯片的完工厚度相当的深度以上的位置)形成变质层，并且形成从变质层向晶片的正面侧延伸的裂纹层，然后，对晶片的背面进行磨削，使晶片变薄为完工厚度，并且利用磨削压力以裂纹层为分割起点将晶片分割为一个个器件芯片。

专利文献1：日本特开昭64-38209号公报

专利文献2：WO2003-077295号公报

可是，在引用文献1的先划出减薄法中，存在下述问题：如果形成晶片厚度的一半以上的深度的半切割槽，则在槽形成后，需要在晶片的正面粘贴保护带，该保护带用于在之后的背面磨削时对形成于正面的器件进行保护，但是，在粘贴保护带时的操作时晶片会破损。

另外，在引用文献2的SDBG法中也存在下述问题：由于能够从一个变质层延伸的裂纹层为150μm左右，因此，如果为了避免抗弯强度恶化而不在磨削后的芯片侧面残留变质层，则难以形成150μm以上的厚度的芯片。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种不使抗弯强度恶化且能够形成较厚的厚度的芯片的晶片的加工方法。