[发明专利]阻挡层叠层、用于制造阻挡层叠层的方法以及超高阻挡层与抗反射系统有效
申请号: | 201480078901.0 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN106415873B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | H-G·洛茨;N·莫里森;T·斯托利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻挡 层叠 用于 制造 方法 以及 超高 反射 系统 | ||
1.一种阻挡层叠层,所述阻挡层叠层包括:
依序布置的第一层、第二层、第三层和第四层,
其特征在于所述第一层与所述第三层具有至少1.9的折射率,
其特征在于所述第二层与所述第四层具有小于1.7的折射率,并且
其特征在于所述层中的每一层都具有至少70nm的厚度,
其特征在于所述阻挡层叠层的奇数层包括聚合物材料,和/或其特征在于所述阻挡层叠层的偶数层包括聚合物材料。
2.如权利要求1所述的阻挡层叠层,进一步包括在所述第四层上方的更进一步的层。
3.如权利要求1所述的阻挡层叠层,进一步包括第五层,或者第五和第六层。
4.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述层直接设置在彼此上。
5.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于奇数层具有至少1.9的折射率,并且其特征在于偶数层具有小于1.7的折射率。
6.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于奇数层具有约为2的折射率。
7.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于偶数层具有小于1.6的折射率。
8.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述阻挡层叠层的奇数层包括以下至少一者:SiNx、NbOx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、有机材料,和/或其特征在于所述阻挡层叠层的偶数层包括以下至少一者:SiOx、MgFx、SiOxNy、有机材料。
9.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述层中的至少一层具有大于100nm的厚度。
10.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述层中的至少一层具有在100nm至300nm的范围中的厚度。
11.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于奇数层中的每一层的厚度小于偶数层中的每一层的厚度。
12.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述阻挡层叠层的水蒸汽穿透速率小于10-4。
13.如权利要求1所述的阻挡层叠层,其特征在于所述阻挡层叠层的水蒸汽穿透速率小于10-5。
14.如权利要求1所述的阻挡层叠层,进一步包括基板,其特征在于所述层设在所述基板上方。
15.如权利要求14所述的阻挡层叠层,其特征在于所述基板包括从包括以下各项的组中选择的透明的聚合物材料:聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、三醋酸纤维素、环烯烃聚合物、聚(乙二醇对萘二甲酸酯)以及上述各项的组合。
16.如权利要求1至15中的任一项所述的阻挡层叠层,其特征在于所述阻挡层叠层的透过率为至少85%。
17.如权利要求1至15中的任一项所述的阻挡层叠层,其特征在于所述阻挡层叠层的透过率大于90%。
18.一种用于制造阻挡层叠层的方法,所述方法包括以下步骤
在基板上交替地沉积第一层材料和第二层材料以形成至少四层,
其特征在于所述第一层材料具有至少1.9的折射率,
其特征在于所述第二层材料具有小于1.7的折射率,并且
其特征在于所述层中的每一层都具有至少70nm的厚度,
其特征在于所述阻挡层叠层的奇数层包括聚合物材料,和/或其特征在于所述阻挡层叠层的偶数层包括聚合物材料。
19.一种超高阻挡层和抗反射系统,所述系统包括:
基板,以及
层叠层,所述层叠层在所述基板上方,其特征在于所述层叠层包括:
依序布置的第一层、第二层、第三层和第四层,
其特征在于所述第一层和所述第三层具有至少1.9的折射率,
其特征在于所述第二层和所述第四层具有小于1.7的折射率,并且其特征在于所述层中的每一层都具有至少70nm的厚度,
其特征在于所述阻挡层叠层的奇数层包括聚合物材料,和/或其特征在于所述阻挡层叠层的偶数层包括聚合物材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择