[发明专利]具有嵌套激振体质量块的惯性传感器和用于制造这样的传感器的方法

权利要求书

1.一种惯性传感器，所述惯性传感器包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到所述框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器用于保持所述激振体振动并确定所述激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样所述激振体在彼此内部是嵌套的，同时在所述悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，所述激振体具有彼此重合的重心。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，每个激振体具有两个平行六面体的翼，所述翼彼此平行地延伸并通过平行六面体形式的中心核被连接在一起，所述中心核从所述翼延伸回，所述激振体关于与所述悬挂平面垂直的轴相对于彼此成90°并关于所述悬挂平面的轴成180°来取向，这样，每个激振体的核与其他激振体的核相对并在所述其他激振体的翼之间延伸，并且所述每个激振体的翼具有端部，所述端部在与所述核相同的平面中并与所述其他激振体的翼的端部相对延伸。

3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，每个翼的质量等于所述核的质量的一半。

4.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述激振体通过第一弹性装置被连接到支持框架，所述支持框架通过第二弹性装置被连接到所述框架以形成第一悬挂级和第二悬挂级。

5.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述换能器在所述激振体之间延伸。

6.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述激振体由半导体材料制成并且电绝缘层在所述翼和所述核之间延伸以便将所述翼与所述核电绝缘。

7.如权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述半导体材料是硅并且所述绝缘层由硅的氧化物制成。

8.如权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述传感器是MEMS类型的。

9.一种用于制造如权利要求8所述的传感器的方法，包括将所述传感器蚀刻到晶片中的步骤，所述晶片包括在两个半导体材料层之间的至少一个电绝缘层，以便所述电绝缘层在每个激振体的所述翼和所述核之间延伸。