[发明专利]热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法

说明书

本发明提供与由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物的热胶粘性优良的热塑性液晶聚合物的制造方法、以及电路基板及其制造方法。所述薄膜的制造方法通过下述工序来制造：掌握工序，分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜，对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部，通过X射线光电子能谱分析掌握[C‑O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和调节工序，以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理，38≤X+Y≤65(1)，‑8.0≤Y‑X≤8.0(2)。

关联申请

本申请要求2013年11月1日提出的日本特愿2013-228087的优先权，将其整体以参考方式作为本申请的一部分进行引用。

技术领域

本发明涉及热胶粘性优良的液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法，所述液晶聚合物薄膜是形成光学各向异性的熔融相的热塑性液晶聚合物薄膜(以下有时简称为热塑性液晶聚合物薄膜、特别地简称为液晶聚合物薄膜)。

背景技术

近年来，PC等信息处理领域、移动电话等通信设备领域的发展显著，在这样的电子设备或通信设备中使用的频率向千兆赫兹的区域位移。但已知，通常在这样的高频频带中，传输损耗增大。

已知电路基板以往是使在聚酰亚胺薄膜上形成有导体电路的基板与由聚酰亚胺薄膜和胶粘剂层构成的覆盖层薄膜贴合而形成的。

但是，对于这样的电路基板而言，由于使用了胶粘剂，因此，有时耐热性、特别是耐钎焊性差。另外，对于这样的电路基板而言，有时会残留来自胶粘剂的溶剂，这样的残留溶剂有可能使多层化后的电路基板中产生不良，降低电路基板的可靠性。因此，要求在不使用胶粘剂的情况下形成电路基板的技术。

另一方面，作为用于在不使用胶粘剂的情况下形成电路基板的基板材料，热塑性液晶聚合物薄膜受到关注。但是，对于热塑性液晶聚合物薄膜而言，在薄膜的挤出成形时，在表面产生硬的表层，因此，在使热塑性液晶聚合物热胶粘的情况下，有时因表层而使层间胶粘性不充分。

为了改善上述情况，例如在专利文献1(日本特开2010-103269号公报)中公开了一种多层电路基板的制造方法，其包括：薄膜形成工序，将形成光学各向异性的熔融相的热塑性液晶聚合物进行挤出成形而形成热塑性液晶聚合物薄膜；软化工序，对上述热塑性液晶聚合物薄膜的至少一侧的表面进行物理研磨或紫外线照射，由此使该薄膜表面软化得具有0.01～0.1GPa的通过纳米压痕法测定的硬度，从而形成胶粘面；和热压接工序，使上述胶粘面与在形成光学各向异性的熔融相的热塑性液晶聚合物薄膜的至少一侧的表面形成有导体电路的基板的电路形成面相对，并通过热压接使整体胶粘。

另一方面，在专利文献2(日本特开2007-302740号公报)中公开了一种高胶粘性液晶聚合物成形体，其为胶粘性优良的液晶聚合物成形体，其特征在于，在其被胶粘部位的表面部的X射线光电子能谱分析结果中，分别算出[-C-O-键]和[-COO-键]的峰面积相对于与各官能团相对应地观察到的C(1s)的各峰的峰面积的合计的比例，[C-O键]和[COO键]的峰面积之和在合计中所占的％比率为21％以上，并且峰面积的比例之比[C-O键]/[COO键]为1.5以下。

根据该文献，记载了：[C-O键]与[COO键]的峰面积之和在C(1s)峰面积整体中所占的％比率为21％以上时，在液晶聚合物成形体的被胶粘部位的表面，液晶聚合物分子的切断适度地进行，该表面的反应性提高，结果，主要能够使初期的胶粘性提高，另外，峰面积之比：[C-O键]/[COO键]为1.5以下时，能够长期维持胶粘性，可以提高制品的长期可靠性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-103269号公报