[发明专利]热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法有效
申请号: | 201480060003.2 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN105683266B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 中岛崇裕;小野寺稔;砂本辰也 | 申请(专利权)人: | 株式会社可乐丽 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;B32B27/08;H05K3/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 满凤;金龙河 |
地址: | 日本冈山*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑性 液晶 聚合物 薄膜 制造 方法 以及 路基 及其 | ||
1.一种热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法,其是为了对由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物即被粘物薄膜进行热胶粘而作为胶粘性薄膜使用的热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法,其由下述工序构成:
掌握工序,分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜,对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部,通过X射线光电子能谱分析掌握[C-O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的%比率:X(%)和Y(%);和
调节工序,以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理,
38≤X+Y≤65 (1)
-5.0≤Y-X≤5.0 (2)。
2.如权利要求1所述的薄膜的制造方法,其中,在调节工序中,对热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜进行选自由紫外线照射、等离子体照射和电晕处理组成的组中的至少一种活化处理。
3.如权利要求1或2所述的薄膜的制造方法,其中,在热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜的峰面积之和的%比率Y的调节前或调节后,进一步包含:
脱气工序,使所述热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜(i)在真空度1500Pa以下在真空下脱气30分钟以上、和/或(ii)在100℃~200℃的范围内在加热下脱气,由此,对所述热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜进行脱气。
4.如权利要求3所述的薄膜的制造方法,其中,脱气工序通过在真空度1500Pa以下在50~200℃的范围内加热来进行。
5.如权利要求1或2所述的薄膜的制造方法,其中,热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜的厚度为10~500μm。
6.如权利要求3所述的薄膜的制造方法,其中,热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜的厚度为10~500μm。
7.如权利要求4所述的薄膜的制造方法,其中,热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜的厚度为10~500μm。
8.一种电路基板的制造方法,其为将由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物与由热塑性液晶聚合物薄膜构成的胶粘性薄膜通过热胶粘进行层叠而得到的电路基板的制造方法,
所述制造方法至少具备:
准备工序,分别准备所述被粘物薄膜和胶粘性薄膜作为选自在至少一个面上形成有导体层的绝缘基板、粘合片和覆盖层中的至少一种电路基板材料;和
热压接工序,将准备的被粘物薄膜与胶粘性薄膜重叠,在预定的压力下加热而对电路基板材料进行热压接,
所述胶粘性薄膜为通过权利要求1~7中任一项所述的制造方法制造的热塑性液晶聚合物薄膜。
9.如权利要求8所述的电路基板的制造方法,其中,被粘物薄膜为在至少一个面上形成有导体电路的绝缘基板,胶粘性薄膜为选自在至少一个面上形成有导体层的绝缘基板、粘合片和覆盖层中的至少一种电路基板材料。
10.如权利要求8或9所述的电路基板的制造方法,其中,进一步在热压接工序之前进行权利要求3或4所述的脱气工序。
11.如权利要求10所述的电路基板的制造方法,其中,脱气工序在真空度为1500Pa以下的真空下在加热温度为50℃~150℃的范围内进行30分钟以上。
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