[发明专利]多晶硅的制备方法

权利要求书

1.一种制备多晶硅的方法，所述方法包括使多晶硅沉积于至少一个载体上，以获得至少一个多晶硅棒，或者使多晶硅沉积于硅粒子上，以获得多晶硅颗粒，其中每种沉积都在设置于1至100000级的洁净室内的反应器中进行，其中将经过滤的空气通入到所述洁净室中，其中所述空气是通过以下方法过滤的：首先使其由聚丙烯制成的G4级的粗粉尘过滤器和由合成聚酯材料制成的M6级的细粉尘过滤器中通过，其中所述粗粉尘过滤器和细粉尘过滤器的过滤垫含有少于0.1重量％的硼和磷以及少于0.01重量％的砷和铝。

2.根据权利要求1所述的方法，其中细粉尘过滤器和粗粉尘过滤器包括具有PTFE膜的垫，所述垫由聚酯纤维组成或由聚丙烯织物组成，各含有少于0.1重量％的硼和磷，少于0.01重量％的砷、铝和硫，以及少于0.1重量％的Sn。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所有粘合剂和在其中设置所述垫的框架都含有少于0.1重量％的硼和磷，少于0.01重量％的砷和铝，以及少于0.1重量％的Sn。

4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中所述至少一个多晶硅棒通过粉碎系统粉碎成多晶硅块，其中所述将多晶硅棒粉碎成多晶硅块同样是在1至100000级的洁净室中进行，其中使用与在所述沉积中相同的过滤器。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多晶硅块或多晶硅颗粒被分级，其中用于分级的系统同样置于1至100000级的洁净室内，其中使用与在所述沉积中相同的过滤器。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述多晶硅块在清洁系统中经历湿化学处理，并且任选地随后在干燥器中经历干燥操作，其中所述清洁系统和所述干燥器都在1至100000级的洁净室内，其中使用与在所述沉积中相同的过滤器。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述多晶硅块体被包装于塑料袋中，其中包装系统在1至100000级的洁净室内，其中使用与在所述沉积中相同的过滤器，前提条件为，在对所述多晶硅块进行湿化学处理和任选地随后进行干燥操作的情况下，从所述清洁系统和/或干燥器到所述包装系统的任何运输线同样在1至100000级的洁净室内，其中使用与在所述沉积中相同的过滤器。